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公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1652580專

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:垂直通道電晶體陣列及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/05/153.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$102,8904.其他應敘明事項:一種垂直通道電晶體陣列，包括多條埋入式位元線、多條位元線接觸窗、多個埋入式字元線與漏電流隔離結構。多個半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。多條埋入式位元線平行設置於半導體基底中，在行方向延伸。多條位元線接觸窗分別設置於埋入式位元線的一側。多個埋入式字元線，平行設置於埋入式位元線上方，在列方向延伸，且隔著閘介電層而連接同一列之半導體柱。漏電流隔離結構設置於埋入式位元線末端部分，以避免相鄰位元線接觸窗之間產生漏電流。<摘錄公開資訊觀測站>

2015/7/13【力晶合肥廠 搶中國製商機】
2015/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 8999809專利】
2015/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5745136專利】
2015/6/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1652580專】
2015/6/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1613665專】
2015/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I481737專利】
2015/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I482164專利】
2015/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I482159專利】
2015/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I488238專利】
2015/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I488265專利】
2015/6/26【本公司董事會決議通過擬與合肥市建設投資控股(集團) 有限公司簽】
2015/6/18【 股東會決議通過解除董事競業禁止之限制】
2015/6/10【本公司清償於債權債務協商展延機制下對全體金融機構之 借款餘額】
2015/5/21【土銀主辦力晶聯貸案 簽約】

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