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公告本公司取得美國專利局核發US 8824206專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置及其讀出方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/09/163.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$200,7284.其他應敘明事項:本發明提供一種可防止通道升壓、防止電流從位元線流至源極線且縮短資料讀取所需的感測時間的非揮發性半導體裝置及其讀出方法。此非揮發性半導體裝置包括：複數的記憶體串，由分別連接至各字元線的複數記憶胞串連而成，每個記憶體串透過第一及第二選擇閘電晶體連接於位元線與源極線之間；控制電路，控制第一及第二選擇閘電晶體，使得當字元線的電壓上升至既定的位準用以讀出記憶胞中的資料時，第一選擇閘電晶體導通且第二選擇閘電晶體關閉的第一狀態以及第一選擇閘電晶體關閉且第二選擇閘電晶體導通的第二狀態交互產生。
<摘錄公開資訊觀測站>

2014/10/9【公告子公司Global Powertec CO., LTD.減資事宜】
2014/10/2【力晶 訂單獲利兩頭甜】
2014/10/1【公告子公司世仁投資股份有限公司減資事宜】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8824206專利】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8786014專利】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8741754專利】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8754703專利】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8738836專利】
2014/9/26【公告本公司取得日本專利局核發JP 5586666專利】
2014/9/26【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1440777專】
2014/9/26【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I451416專利】
2014/8/15【上半年每股純益 力晶2.16元 續升溫】
2014/5/13【DRAM廠獲利創3年新高】
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