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公告本公司取得美國專利局核發US 8741754專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/07/073.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$152,7314.其他應敘明事項:本發明提出一種非揮發性記憶體具有穿隧介電層、浮置閘極、控制閘極、閘間介電層、第一摻雜區與第二摻雜區。穿隧介電層配置於基底上。浮置閘極配置於穿隧介電層上，且浮置閘極具有凸出部。控制閘極配置於浮置閘極上方，並覆蓋、環繞凸出部。其中，浮置閘極的凸出部無論從任何方向(例如位元線或字元線方向或位元線及字元線間所夾任何角度的方向)皆被控制閘極完全包覆、環繞在裡面。閘間介電層配置於浮置閘極與控制閘極之間。第一摻雜區與第二摻雜區分別配置於控制閘極二側的基底中。<摘錄公開資訊觀測站>

2014/10/1【公告子公司世仁投資股份有限公司減資事宜】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8824206專利】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8786014專利】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8741754專利】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8754703專利】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8738836專利】
2014/9/26【公告本公司取得日本專利局核發JP 5586666專利】
2014/9/26【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1440777專】
2014/9/26【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I451416專利】
2014/8/15【上半年每股純益 力晶2.16元 續升溫】
2014/5/13【DRAM廠獲利創3年新高】
2014/7/8【台灣產業轉型看見曙光】
2014/4/14【南科、華邦電、晶豪科 Q2喊讚】
2014/1/16【力晶去年轉虧為盈 EPS4.84元】

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