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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I451416專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:用於ＮＡＮＤ快閃記憶體技術領域的寫入方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/09/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$122,1004.其他應敘明事項:一種NAND快閃記憶體的寫入方法、可以利用一自我升壓方案來減少在禁止寫入記憶胞串的通道中之超額的電子,這些電子會引起寫入干擾。在升壓通道之前,可以施加一負電壓到連接禁止寫入記憶胞串的字元線,來�動上述的減少步驟,並且可以產生高的寫入防護。另外,一列解碼器可以實現寫入操作,並且一檔案系統以上述的寫入方案為基礎而實現增進檔案管理的效能。
<摘錄公開資訊觀測站>

2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8738836專利】
2014/9/26【公告本公司取得日本專利局核發JP 5586666專利】
2014/9/26【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1440777專】
2014/9/26【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I451416專利】
2014/8/15【上半年每股純益力晶2.16元續升溫】
2014/5/13【DRAM廠獲利創3年新高】
2014/7/8【台灣產業轉型看見曙光】
2014/4/14【南科、華邦電、晶豪科 Q2喊讚】
2014/1/16【力晶去年轉虧為盈 EPS4.84元】
2014/4/2【瑞力傳賣給蘋果瑞薩否認】
2014/6/12【美商新思科技收購RSP 力晶回收13倍獲利】
2014/2/28【1000億換重生！　黃崇仁：善待股東不炒股】
2014/6/23【世界力晶接單大增】
2014/6/13【處分瑞力持股報酬率十倍】

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