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公告本公司取得美國專利局核發US 8786014專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:垂直通道電晶體陣列及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/08/153.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$454,8654.其他應敘明事項:一種垂直通道電晶體陣列，包括多條埋入式位元線、多條位元線接觸窗、多個埋入式字元線與漏電流隔離結構。多個半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。多條埋入式位元線平行設置於半導體基底中，在行方向延伸。多條位元線接觸窗分別設置於埋入式位元線的一側。多個埋入式字元線，平行設置於埋入式位元線上方，在列方向延伸，且隔著閘介電層而連接同一列之半導體柱。漏電流隔離結構設置於埋入式位元線末端部分，以避免相鄰位元線接觸窗之間產生漏電流。<摘錄公開資訊觀測站>

2014/10/2【力晶 訂單獲利兩頭甜】
2014/10/1【公告子公司世仁投資股份有限公司減資事宜】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8824206專利】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8786014專利】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8741754專利】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8754703專利】
2014/9/26【公告本公司取得美國專利局核發US 8738836專利】
2014/9/26【公告本公司取得日本專利局核發JP 5586666專利】
2014/9/26【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1440777專】
2014/9/26【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I451416專利】
2014/8/15【上半年每股純益 力晶2.16元 續升溫】
2014/5/13【DRAM廠獲利創3年新高】
2014/7/8【台灣產業轉型看見曙光】
2014/4/14【南科、華邦電、晶豪科 Q2喊讚】

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