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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125727專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125727專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 圖案化方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/26 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 65,876 4.其他應敘明事項: 一種圖案化方法。提供材料層。於材料層上形成依序包括第一罩幕層與第一光阻 層的多個罩幕結構。於材料層上共形地形成覆蓋罩幕結構的第二罩幕層。於罩幕 結構間形成第一犧牲層。移除部份第二罩幕層而暴露第一光阻層,以於罩幕結構 間形成第一U型罩幕層。移除第一光阻層與第一犧牲層。於材料層上共形地形成具 有第一表面與低於第一表面的第二表面的第三罩幕層。於第三罩幕層的第二表面上 形成第二犧牲層。移除部份第三罩幕層而暴露第一U型罩幕層的突出部,以形成第 二U型罩幕層。以第二U型罩幕層的突出部為罩幕,對材料層圖案化。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125730專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125730專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 浮置閘極與非揮發性記憶胞的製造方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/26 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 64,984 4.其他應敘明事項: 一種浮置閘極的製造方法,包括下列步驟。提供具有多個隔離結構的基底,隔離 結構的頂面高於基底的頂面。於基底上形成第一導體層。於第一導體層上形成犧 牲層。移除部份犧牲層,而保留隔離結構之間的第一導體層上的犧牲層。以犧牲 層為罩幕,移除部份第一導體層,以於相鄰的隔離結構之間形成導體結構。移除 犧牲層。於基底上形成第二導體層,第二導體層電性連接導體結構。以及圖案化 第二導體層與導體結構,以形成浮置閘極。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3159745專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3159745專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 自動監控膜厚均勻性的方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/23 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 62,850 4.其他應敘明事項: 一種自動監控膜厚均勻性的方法。取得多個晶圓之薄膜的膜厚資料,其中各晶圓 的膜厚資料包括在多個量測區域上的多個厚度值,並且同一個晶圓的厚度值設定 為一膜厚向量。基於各量測區域所獲得的上述厚度值獲得群均值矩陣。依據群均 值矩陣與上述膜厚向量,獲得群共變異矩陣。基於量測區域之間的偏離關係,獲 得變換矩陣。利用變換矩陣、群均值矩陣以及群共變異矩陣,獲得偏差範圍。基 於偏差範圍來監控各晶圓之薄膜的膜厚均勻性。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3123040專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3123040專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構及其製作方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/26 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 72,032 4.其他應敘明事項: 一種多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構,包含有一基底,其中設有一導電 區域;一金屬層間介電層,設於基底上;一電容溝渠,貫穿金屬層間介電層,顯 露出導電區域;一電容下電極結構,設於電容溝渠內,包括一第一下電極及一第 二下電極,其中第一下電極環繞著第二下電極,且第一下電極直接接觸導電區域 ;一導電支撐底座,位於電容溝渠內,固定並電連接第一下電極及第二下電極的 底部;一電容介電層,順形的設置在第一下電極、第二下電極及導電支撐底座的 表面上;以及一電容上電極,設置在電容介電層上。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3092137專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3092137專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 止逆閥及防止氣體回沖的系統 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/28 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 65,144 4.其他應敘明事項: 一種止逆閥,其包括閥體、多個旋啟式柵門及多個檔塊。閥體具有多個開口。旋 啟式柵門設置於閥體上。在旋啟式柵門關閉時,旋啟式柵門封住開口。檔塊設置 於閥體上。在旋啟式柵門開啟時,檔塊擋住旋啟式柵門,以限制旋啟式柵門的開 啟角度。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639925專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 統計多維變數而推算生產力的方法、統計多維變數而排程 優先順序的方法與統計多維變數進行最佳化配置的方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/01 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 152,000 4.其他應敘明事項: 一種經由統計多維變數而推算出生產力的方法。首先,提供複數個機臺的複數個 登錄資料。其次,分別轉譯每個登錄資料,而得到複數個變數與複數個參數。之 後,區別每個變數,使得每個變數成為合用變數或捨棄變數其中之一。繼續,統 計複數個合用變數,而得到統計合用變數。然後,將統計合用變數,組成統計庫 。接著,經由此統計庫推算出生產力。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I645405專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 半導體記憶裝置 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/12/21 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 86,900 4.其他應敘明事項: 半導體記憶裝置,於通常讀出或寫入模式與自動再新模式中進行選擇動作,包括 :感測放大器,自記憶元件讀出資料;第1開關元件,於第1期間,在將作為過驅 動電壓的第1電源電壓連接於第1電源中間節點後,於第2期間,將作為陣列電壓的 第2電源電壓連接於第1電源中間節點;第2開關元件,於感測放大器的驅動時將第 4電源電壓連接於感測放大器的第2電源中間節點;第1電容器,連接於過驅動電壓 且對過驅動電壓進行充電;第3開關元件,於自動再新模式時導通;及電壓產生部 件,產生第3電源電壓並經由第3開關元件與第1電源電壓並聯地施加。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I640011專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 非揮發性記憶體裝置及對其驗證的錯誤補償方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/01 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 52,600 4.其他應敘明事項: 一種非揮發性記憶體裝置及對其驗證的錯誤補償方法。非揮發性記憶體裝置包括 記憶體區塊、字元線驅動器、位元線電路以及控制器。記憶體區塊具備多個記憶 胞。當對所述記憶胞進行第一程式化處理以及第一驗證處理之後,控制器對所述 記憶胞的控制端進行反向讀取,依據預定的程式化數據並藉由所述字元線驅動器 以將預定電壓分別施加至所述記憶胞的所述控制端,藉由所述位元線電路以讀取 所述記憶胞中的數據,藉由從所述記憶胞中所讀取的所述數據來判斷每個記憶胞 的所述數據是否正常。當記憶胞中的特定記憶胞的數據不正常時,控制器對特定 記憶胞進行第二程式化處理。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639886專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 光罩及光罩承載平台的維護方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/01 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 103,280 4.其他應敘明事項: 本發明提供一種光罩,其可置放於曝光裝置中的光罩承載平台上,此光罩包括一 基板以及一反射結構。基板包括一主表面與至少一側壁,且主表面與側壁相接, 其中主表面包括一圖案區以及一周邊區,周邊區設置於圖案區的一外側。反射結 構至少設置於側壁表面或設置於主表面之周邊區。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639847專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 積體電路晶片及其檢查方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/01 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 51,900 4.其他應敘明事項: 積體電路晶片及其檢查方法。積體電路晶片的目標電路產生目標信號。積體電路 晶片的轉態偵測電路於初始化期間偵測目標信號的轉態,以產生轉態偵測結果。 依據轉態偵測結果判斷目標電路的初始化是否正常。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I645554專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: CMOS影像感測器的深溝渠隔離結構及其製造方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/12/21 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,400 4.其他應敘明事項: 一種CMOS影像感測器的深溝渠隔離結構及其製造方法,所述深溝渠隔離結構包括 位於基底中的光感測區之間的多個隔離結構,且每個隔離結構包括第一溝渠隔離 結構和第二溝渠隔離結構。第一溝渠隔離結構形成於基底的第一表面內,其中第 一溝渠隔離結構包括第一填充層與包覆第一填充層表面的第一介電襯層。第二溝 渠隔離結構形成於基底中相對於第一表面的第二表面內,且第二溝渠隔離結構包 括第二填充層與包覆第二填充層表面的第二介電襯層,其中第二介電襯層的底面 與第一介電襯層的底面直接接觸。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639884專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 相移式光罩及其製作方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/01 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 73,000 4.其他應敘明事項: 本發明提供一種相移式光罩,用於在曝光製程中轉移一佈局圖。相移式光罩包括 一基板與一圖案化相移層。圖案化相移層設置於基板上並具有至少一元件圖案開 口與複數個虛設圖案開口,元件圖案開口與虛設圖案開口暴露出基板表面,且虛 設圖案開口環設於元件圖案開口的周圍。圖案化相移層具有一預定厚度,使得曝 光製程中通過圖案化相移層之曝光光束與通過元件圖案開口或者虛設圖案開口之 曝光光束相位差為180度,並且圖案化相移層的光線穿透率為100%。
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2018/12/28 | 國璽幹細胞應用技術 興 | 本公司107年第一次現金增資股款催繳公告 |
1.事實發生日:107/12/28 2.發生緣由: 發生緣由:本公司107年現金增資原股東及員工認股繳款期限已於107年 12月28日截止,惟有部分原股東及員工尚未繳納現金增資股款,特此催告。 3.因應措施: (1)茲依公司法第266條準用同法第142條之規定,特此催告。 (2)股款催繳期間自107年12月29日至108年1月30日止。 (3)尚未繳款之原股東及員工,請於上述期間內,持原繳款書至台灣銀行六家分行 及全省各分行辦理繳款事宜,逾期仍未繳款者即喪失認購新股之權利。 4.其他應敘明事項: 若貴股東有任何疑問,請洽詢本公司股務代理機構 兆豐證券股份有限公司股務代理部 (台北市忠孝東路二段95號1樓 電話: (02))3393-0898)。
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2018/12/28 | 凌昇能源科技 未 | 公告本公司107年12月底截至前一月底之未來三個月現金收支 情形、 |
公告本公司107年12月底截至前一月底之未來三個月現金收支 情形、銀行可使用融資額度情形、自結財務報告之負債比率、流 動比率、及速動比率等財務資訊
1.事實發生日:107/12/28 2.公司名稱:凌昇能源科技股份有限公司 3.與公司關係(請輸入本公司或聯屬公司):本公司 4.相互持股比例(若前項為本公司,請填不適用):不適用 5.發生緣由:依104年11月12日證櫃審字第1040030869號函辦理公告。 6.因應措施:每月底前,將截至前一月底之未來三個月現金收支情形、銀行可使用 融資額度情形、負債比率、流動比率及速動比率。 7.其他應敘明事項: (1)未來三個月合併預計現金收支狀況(單位:仟元) 項目/月份 107年12月 108年1月 108年2月 期初餘額 49,156 66,706 72,668 現金流入合計 41,766 34,833 40,109 現金流出合計 (39,065) (34,971) (43,415) 融資流入(出)合計 14,849 6,100 3,639 投資流出合計 0 0 0 期末餘額 66,706 72,668 73,001 (2)銀行可使用融資額度情形 融資額度:美元 4,000仟元 新台幣 109,033仟元 已用額度:美元 0仟元 新台幣 97,203仟元 額度餘額:美元 4,000仟元 新台幣 11,830仟元 (3)107年11月份自結合併財報之比率 負債比率: 51.63% 流動比率:115.03% 速動比率: 65.86%
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2018/12/28 | 相互 興 | 代子公司(常熟東南相互電子有限公司)公告總經理異動 |
1.董事會決議日期或發生變動日期:107/12/28 2.舊任者姓名及簡歷:張智明/常熟東南相互電子有限公司總經理 3.新任者姓名及簡歷:張宏智/常熟東南相互電子有限公司副總經理 4.異動情形(請輸入「辭職」、「職務調整」、「資遣」、「退休」、「死亡」或「新 任」):職務調整 5.異動原因:職務調整 6.新任生效日期:108/01/01 7.其他應敘明事項:無
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2018/12/28 | 相互 興 | 公告本公司總經理異動 |
1.董事會決議日期或發生變動日期:107/12/28 2.舊任者姓名及簡歷:林錦鴻/本公司總經理 3.新任者姓名及簡歷:張智明/常熟東南相互電子有限公司總經理 4.異動情形(請輸入「辭職」、「職務調整」、「資遣」、「退休」、「死亡」或「新 任」):職務調整 5.異動原因:職務調整 6.新任生效日期:108/01/01 7.其他應敘明事項:無
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2018/12/28 | 相互 興 | 公告本公司新任執行長 |
1.人員變動別(請輸入發言人、代理發言人、重要營運主管、財務主管、 會計主管、研發主管或內部稽核主管):執行長 2.發生變動日期:107/12/28 3.舊任者姓名、級職及簡歷:無 4.新任者姓名、級職及簡歷:林錦鴻/本公司總經理 5.異動情形(請輸入「辭職」、「職務調整」、「資遣」、「退休」、「死亡」或「新 任」):新任 6.異動原因:新任 7.生效日期:108/01/01 8.新任者聯絡電話:(02)2276-3210 9.其他應敘明事項:無
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2018/12/28 | 乾杯 興 | 公告本公司董事會決議108年第一次股東臨時會召開事宜 |
1.董事會決議日期:107/12/28 2.股東臨時會召開日期:108/02/18 3.股東臨時會召開地點:台北市中正區忠孝東路2段88號B1F 4.召集事由: (一)報告事項: 1.「董事會議事規範」修訂案。 2.「誠信經營守則」修訂案。 3.「道德行為準則」修訂案。 (二)討論事項: 1.「公司章程」修訂案。 2.「董事及監察人選舉辦法」修訂案。 3.「取得或處份資產處理程序」修訂案。 4.「資金貸與他人作業處理程序」修訂案。 5.「背書保證處理程序」修訂案。 6.「股東會議事規則」修訂案。 7.初次申請上櫃前發行新股公開承銷,原股東放棄優先認股權利案。 (三)選舉事項:本公司擬設置審計委員會並進行全面改選董事案。 (四)其他事項:解除本公司董事競業禁止案。 5.停止過戶起始日期:108/01/20 6.停止過戶截止日期:108/02/18 7.其他應敘明事項:無。
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2018/12/28 | 普達系統 興 | 公告本公司法人董事代表人變更 |
1.發生變動日期:107/12/28 2.法人名稱:飛迅投資股份有限公司 3.舊任者姓名及簡歷:李東陵,飛迅投資股份有限公司代表人 4.新任者姓名及簡歷:張洪瑞,本公司總經理 5.異動原因:法人董事改派代表人 6.原任期(例xx/xx/xx ~ xx/xx/xx):106/05/25~109/05/24 7.新任生效日期:108/01/01 8.其他應敘明事項:無
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2018/12/28 | 大詠城機械 | 公告本公司股票初次上櫃前現金增資發行新股承銷價格 |
1.事實發生日:107/12/28 2.公司名稱:大詠城機械股份有限公司 3.與公司關係(請輸入本公司或聯屬公司):本公司 4.相互持股比例(若前項為本公司,請填不適用):不適用 5.發生緣由:公告本公司股票初次上櫃前現金增資發行新股承銷價格 6.因應措施:無 7.其他應敘明事項: 一、本公司為配合初次上櫃前公開承銷辦理現金增資新台幣56,000,000元, 發行普通股5,600,000股,每股面額新台幣10元,業經財團法人中華民國 證券櫃檯買賣中心107年11月28日證櫃審字第1070032217號函核准在案。 二、本次現金增資採溢價方式辦理,競價拍賣最低承銷價格為每股新台幣12.73元, 依投標價格高者優先得標,每一得標人應依其得標價格認購;各得標單之價格 及其數量加權平均價格為新台幣19.35元,高於最低承銷價格之1.1倍,故公開 申購承銷價格以每股新台幣14元發行。 三、本次現金增資所發行之新股,其權利義務與原發行之普通股股份相同。
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