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2018/12/28 | 普惠醫工 興 | 本公司法人董事代表人異動 |
1.事實發生日:107/12/27 2.發生緣由:本公司法人董事代表人異動 法人名稱:億代富國際股份有限公司 舊任者姓名及簡歷:易昌運 新任者姓名及簡歷:蕭清組 異動原因:法人董事改派 3.因應措施:不適用 4.其他應敘明事項:無
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2018/12/28 | 普惠醫工 興 | 公告本公司現金增資發行計劃變更案。 |
1.事實發生日:107/12/27 2.發生緣由:董事會決議增加轉投資設立越南新子公司計畫投資總額。 (1)董事會決議變更日期:107/12/27 (2)原計畫申報生效之日期:107/12/18 (3)變動原因: 原投資計畫預計以美金260萬元內取得所需土地使用權,惟因市場行情 變化,致取得土地成本增加,故變更原投資計畫總額及進度。 (4)變更前後募集資金計畫: A.原資金運用計畫: 所需資金總額:155,000仟元。 資金運用進度:107年第四季/8,600仟元;108年第一季/99,200仟元; 108年第三季/47,200仟元。 B.變更後資金運用計畫: 所需資金總額:170,500仟元。 資金運用進度:107年第四季/5,800仟元;108年第一季/118,200仟元; 109年第二季/46,500仟元。 (5)預計執行進度:設立越南新子公司之資金預計於107年第四季、108年第一季及109年 第二季分別投入新台幣5,800仟元、118,200仟元及46,500仟元。 (6)預計完成日期:109年第二季。 (7)預計可能產生效益:因應本公司未來營運規模擴充及業務成長之需求,故增加產能 擴充空間,使資源更有效利用。 (8)本次變更對股東權益之影響:本次計畫變更轉投資總額資金由155,000仟元調增為 170,500仟元,其資金來源將以本公司自有資金或銀行借款支應,對股東權益不致 產生影響。 (9)原主辦承銷商評估意見摘要:不適用。 3.因應措施:不適用。 4.其他應敘明事項:無。
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2018/12/28 | 普惠醫工 興 | 公告本公司一○七年度第一次現金增資 認股基準日及相關事宜。。 |
1.事實發生日:107/12/27 2.發生緣由: (1) 董事會決議日期:107/12/27 (2) 增資資金來源:辦理現金增資發行普通股。 (3) 發行股數:普通股4,800,000股。 (4) 每股面額:新台幣10元。 (5) 發行總金額:48,000,000元。 (6) 發行價格:每股新台幣15元。 (7) 員工認購股數:依公司法第267條規定,保留百分之十五由員工認購共計720,000股。 (8) 原股東認購比率(請註明暫定每仟股認購或配發股數):本次增資發行股數之85%計 4,080,000股由原股東按認股基準日股東名冊記載之股東及其持股比例認購,暫定 每仟股可認購118股。 (9) 公開銷售方式及股數:無。 (10)畸零股及逾期未認購股份之處理方式:原股東可認購股數未滿一股者,股東自停止 過戶日起五日內,自行向股務代理機構辦理湊足整股之登記,逾期未拼湊者視為 放棄。經拼湊後仍不足一股之畸零股及原股東、員工於繳款期限結束未認購之股數, 授權董事長洽特定人按發行價格認購之。 (11)本次發行新股之權利義務:與本公司原已發行之普通股相同。 (12)本次增資資金用途:轉投資設立越南新子公司。 (13)現金增資認股基準日:108年1月8日。 (14)最後過戶日:108年1月3日。 (15)停止過戶起始日期:108年1月4日。 (16)停止過戶截止日期:108年1月8日。 (17)股款繳納期間: A.原股東及員工認股繳款期間:108年1月11日∼108年2月12日。 B.特定人認股繳款期間:108年2月13日∼108年2月22日。 (18)與代收及專戶存儲價款行庫訂約日期:107年12月28日。 (19)委託代收款項機構:彰化銀行北斗分行。 (20)委託存儲款項機構:彰化銀行溪湖分行。 3.因應措施:不適用。。 4.其他應敘明事項: (1) 本次現金增資發行新股案,業經金融監督管理委員會107年12月18日金管證發字 第1070121101號函核准申報生效。 (2) 本次現金增資各項事宜,若因法令變更,依主管機關規定或實際需要須調整時, 授權董事長全權處理。
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2018/12/28 | 普惠醫工 興 | 本公司董事會決議修訂員工認股權辦法。 |
1.事實發生日:107/12/27 2.發生緣由:修訂107年度員工認股權辦法追認案。 認股權人資格條件 修正前條文: 認股權人自被授予員工認股權憑證後,遇有違反法令或本公司勞動契約、競業禁止、 保密義務、工作規則等惡意或重大過失者,本公司有權就其全部或部分尚未具行使權 之認股權憑證予以收回並註銷。 修正後條文: 認股權人自被授予員工認股權憑證後,遇有違反法令或本公司勞動契約、競業禁止、 保密義務、工作規則或績效考核等級未達乙等以上者,本公司有權就其全部或部分尚未 具行使權之認股權憑證予以收回並註銷。 3.因應措施:無。 4.其他應敘明事項:無。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得美國專利局核發US 10121848專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構及其製作方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/06 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 102,949 4.其他應敘明事項: 一種多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構,包含有一基底,其中設有一導電 區域;一金屬層間介電層,設於基底上;一電容溝渠,貫穿金屬層間介電層,顯 露出導電區域;一電容下電極結構,設於電容溝渠內,包括一第一下電極及一第 二下電極,其中第一下電極環繞著第二下電極,且第一下電極直接接觸導電區域 ;一導電支撐底座,位於電容溝渠內,固定並電連接第一下電極及第二下電極的 底部;一電容介電層,順形的設置在第一下電極、第二下電極及導電支撐底座的 表面上;以及一電容上電極,設置在電容介電層上。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得美國專利局核發US 10088753專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 影像亮度重配模組及影像亮度重配方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/02 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 179,868 4.其他應敘明事項: 本發明提供了一種影像亮度重配模組,其包括一開關器、一第一透鏡、一數位微 鏡裝置、一第二透鏡以及一第三透鏡。開關器選擇性地允許具一光強度分佈之一 第一圖像通過,而第一圖像係由一照明光束通過一光罩所形成。第一圖像藉由通 過第一透鏡而被調整尺寸以形成一第二圖像,成像於數位微鏡裝置的表面,並藉 由數位微鏡裝置形成具一重配光強度分佈之一第三圖像。第三圖像經數位微鏡裝 置輸出至第二透鏡,並藉由通過第二透鏡而被調整尺寸以形成一第四圖像,以及 第四圖像藉由通過第三透鏡而被調整尺寸以形成一第五圖像並輸出至影像亮度重 配模組外。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得美國專利局核發US 10082820專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 電源控制電路以及具備電源控制電路的邏輯電路裝置 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/25 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 244,096 4.其他應敘明事項: 本發明的電源控制電路用於邏輯電路,該邏輯電路對來自記憶部件的多個輸入信 號進行規定的邏輯運算,並輸出邏輯運算後的多個輸出信號。電源控制電路包括 :開關部件,切換是否將電源電壓供給至邏輯電路;多個檢測器電路,分別檢測 多個輸入信號的信號位準的變化,當檢測出信號位準的變化時,分別輸出檢測信 號;以及控制電路,基於來自多個檢測器電路的至少一個檢測信號來控制開關部 件對邏輯電路供給電源電壓,另一方面,在未從多個檢測器電路輸出檢測信號時 ,控制開關部件不對邏輯電路供給電源電壓。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3070168專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3070168專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 快閃記憶體及其製造方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/25 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,022 4.其他應敘明事項: 一種快閃記憶體,包括堆疊閘極結構、第一摻雜區與第二摻雜區、選擇閘極以及 閘介電層。堆疊閘極結構設置於基底上,堆疊閘極結構從基底起依序包括穿隧介 電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。第一摻雜區與第二摻雜區分別設置 於堆疊閘極結構兩側的基底中。選擇閘極設置於堆疊閘極結構下方的基底中的溝 渠內,且選擇閘極鄰近第一摻雜區並與第二摻雜區相距一距離。閘介電層設置於 選擇閘極與基底之間。穿隧介電層設置於浮置閘極與選擇閘極之間以及於浮置閘 極與基底之間。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3160475專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3160475專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 快閃記憶體閘極結構及其製作方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/23 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 84,154 4.其他應敘明事項: 本發明提供一種快閃記憶體閘極結構的製作方法,包含:首先提供一基底,再依 序形成一第一絕緣層、一第一導電層和一第二絕緣層覆蓋基底,然後在第一導電 層和第二絕緣層內形成至少一第一溝渠,之後形成一第二導電層和一遮罩層覆蓋 第二絕緣層,其中第二導電層填滿第一溝渠,接續形成複數個圖案化遮罩層,接 著於各個圖案化遮罩層之兩側各形成一側壁子,最後以圖案化遮罩層與側壁子為 遮罩蝕刻第一導電層,直至第一絕緣層曝露出來,以形成一第一閘極結構和一第 二閘極結構。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3130733專 |
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1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 電阻式隨機存取記憶體及其製造方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/02 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 83,502 4.其他應敘明事項: 一種電阻式隨機存取記憶體,包括基底、介電層、多個記憶胞及內連線結構。 介電層設置於基底上。記憶胞垂直相鄰地設置於介電層中,且各個記憶胞包括 第一電極、第二電極及可變電阻結構。第二電極設置於第一電極上。可變電阻 結構設置於第一電極與第二電極之間。在垂直相鄰的兩個記憶胞中,位於上方 的記憶胞的第一電極與位於下方的記憶胞的第二電極設置於相鄰的可變電阻結 構之間且彼此隔離。內連線結構設置於介電層中且將記憶胞的第一電極進行連 接。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080648專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080648專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 半導體元件及其製作方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/21 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 69,123 4.其他應敘明事項: 一種半導體元件及其製作方法。半導體元件的製作方法包括以下步驟。提供一基 底,基底中已形成有多個溝槽,其中溝槽之間的基底上已依序配置有一氧化層、 一矽基材料層以及一罩幕層。形成一介電層,以填入溝槽中並覆蓋罩幕層、矽基 材料層、氧化層以及基底。對基底進行一退火製程,其中來自罩幕層的氫會與矽 基材料層中的矽形成矽-氫鍵。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3090390專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3090390專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 晶片可靠度的測試板及其測試系統 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/28 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 70,517 4.其他應敘明事項: 一種晶片可靠度的測試板及其測試系統被提出。晶片可靠度的測試板用以承載多 數個晶片。晶片依據陣列排列形式被配置在測試板上以形成多數個晶片行及多數 個晶片列。晶片可靠度的測試板包括多數條輸出資料線以及多數條輸入資料線。 多數條輸出資料線分別耦接至該些晶片列上的晶片的資料輸出接腳。多數條輸入 資料線分別耦接至晶片列上的晶片的資料輸入接腳。其中,輸出資料線分別連接 至可靠度測試機台的多數個資料接收端子,輸入資料線分別連接至可靠度測試機 台的多數個第一時脈信號端子。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3090384專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3090384專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 電阻式隨機存取記憶體結構及電阻式隨機存取記憶體的操 作方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/28 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 78,238 4.其他應敘明事項: 一種電阻式隨機存取記憶體結構,包括第一電晶體、第二電晶體與電阻式隨機存 取記憶胞串。藉由第一電晶體的第一端子與第二電晶體電性連接,而使得第一電 晶體與第二電晶體串聯。電阻式隨機存取記憶胞串包括彼此電性連接的多個記憶 胞,且電性連接至第一電晶體的第二端子。
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2018/12/28 | 優你康光學 興 | 公告本公司107年11月份自結財務報表之負債比率、流動比率 及速動 |
公告本公司107年11月份自結財務報表之負債比率、流動比率 及速動比率暨銀行可使用融資額度情形及未來三個月現金收支情 形。
1.事實發生日:107/12/28 2.公司名稱:優你康光學股份有限公司 3.與公司關係(請輸入本公司或聯屬公司):本公司 4.相互持股比例(若前項為本公司,請填不適用):不適用 5.發生緣由:依照櫃買中心證櫃審字第1060027435號函辦理 (1)107年11月負債比率、流動比率、速動比率 負債比率:34.49% 流動比率:217.89% 速動比率:134.99% (2)銀行可使用融資額度情形 (單位:仟元) --------------------------------------------------------- 項目/月份 107年12月 108年01月 108年02月 --------------------------------------------------------- 融資額度 320,518 315,063 309,608 已用額度 156,523 154,368 148,613 額度餘額 163,995 160,695 160,995 --------------------------------------------------------- (3)107/11月底之未來三個月之現金收支情形 (單位:新台幣仟元) --------------------------------------------------------- 項目/月份 107年12月 108年01月 108年02月 --------------------------------------------------------- 期初金額 231,332 239,689 218,689 現金收入 91,412 64,706 64,706 現金支出 83,055 85,379 103,714 期末餘額 239,689 218,689 179,681 --------------------------------------------------------- 6.因應措施:依主管機關規定公告。 7.其他應敘明事項:無。
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2018/12/28 | 銓寶工業 興 | 公告本公司資金貸與餘額達「公開發行公司資金貸與 及背書保證處 |
公告本公司資金貸與餘額達「公開發行公司資金貸與 及背書保證處理準則」第二十二條第一項第三款之標準
1.事實發生日:107/12/28 2.接受資金貸與之: (1)公司名稱:CHUMPOWER (HK) HOLDING LIMITED (2)與資金貸與他人公司之關係: 本公司之孫公司 (3)資金貸與之限額(仟元):313744 (4)原資金貸與之餘額(仟元):0 (5)本次新增資金貸與之金額(仟元):27756 (6)是否為董事會授權董事長對同一貸與對象分次撥貸或循環動用之資金貸與:是 (7)迄事實發生日止資金貸與餘額(仟元):27756 (8)本次新增資金貸與之原因: 營運周轉 3.接受資金貸與公司所提供擔保品之: (1)內容: 無 (2)價值(仟元):0 4.接受資金貸與公司最近期財務報表之: (1)資本(仟元):150310 (2)累積盈虧金額(仟元):-108905 5.計息方式: 年息3.37188% 6.還款之: (1)條件: 本金+利息 一次償還 (2)日期: 最長不超過半年 7.迄事實發生日為止,資金貸與餘額(仟元): 27756 8.迄事實發生日為止,資金貸與餘額占公開發行公司最近期財務報表淨值之比率: 3.53 9.公司貸與他人資金之來源: 母公司 10.其他應敘明事項: 匯率換算成新台幣:USD/TWD=30.84
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2018/12/28 | 辣椒方舟移動數位 未 | 公告本公司未來三個月預計之現金收支狀況,及上一月份 之銀行融 |
公告本公司未來三個月預計之現金收支狀況,及上一月份 之銀行融資額度使用情形
1.事實發生日:107/12/28 2.公司名稱:辣椒方舟移動數位股份有限公司 3.與公司關係(請輸入本公司或聯屬公司):本公司 4.相互持股比例(若前項為本公司,請填不適用):不適用 5.發生緣由: 依據櫃買中心證櫃審字第1060026015號函辦理,公告未來三個月預計之 現金收支狀況,及上一月份之銀行融資額度使用情形(單位:新台幣仟元) (1)未來三個月預計之現金收支狀況 項目 108年01月 108年02月 108年03月 --------- --------- --------- --------- 期初金額 25,424 21,311 17,825 現金流入 5,500 6,200 5,500 現金流出 9,613 9,686 6,235 期末現金 21,311 17,825 17,090 (2)上一月份之銀行融資額度使用情形 融資額度 : 新台幣20,000仟元。 已用額度 : 新台幣14,000仟元。 額度餘額 : 新台幣6,000仟元。 6.因應措施:無 7.其他應敘明事項:無
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080644專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080644專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 非揮發性記憶體及其製造方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/21 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 79,132 4.其他應敘明事項: 一種非揮發性記憶體,包括基底、第一堆疊結構、第二堆疊結構、第五導體層、 第一摻雜區與第二摻雜區。第一堆疊結構包括第一導體層與第二導體層。第一導 體層與第二導體層依序堆疊於基底上且相互隔離。第二堆疊結構與第一堆疊結構 分離設置,且包括第三導體層與第四導體層。第三導體層與第四導體層依序堆疊 於基底上且相互連接。第五導體層設置於第一堆疊結構遠離第二堆疊結構的一側 的基底上。第一摻雜區設置於第五導體層下方的基底中。第二摻雜區設置於第二 堆疊結構遠離第一堆疊結構的一側的基底中。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3093644專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3093644專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 非揮發性記憶體的製造方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/28 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 56,597 4.其他應敘明事項: 一種非揮發性記憶體的製造方法。於基底上依序形成複合層、第一導體層及第一 頂蓋層。於基底中形成沿第一方向延伸的多個元件隔離結構,上述元件隔離結構 的表面位於第一頂蓋層與基底之間。對第一頂蓋層、第一導體層、複合層以及基 底進行圖案化,以於基底中形成沿第二方向延伸的多個溝槽,其中第一方向與第 二方向交錯。於溝槽中形成絕緣層及第二導體層,其中絕緣層環繞而包覆第二導 體層。移除第一頂蓋層,並在暴露出的絕緣層之兩側分別形成第二頂蓋層。以第 二頂蓋層為罩幕,圖案化第一導體層以及複合層,以使第一導體層形成為控制閘 極。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080646專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080646專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 靜態隨機存取記憶體與其製造方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/21 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,946 4.其他應敘明事項: 本發明提供一種靜態隨機存取記憶體與其製造方法。透過將特定閘極結構形成為 具有下凹型式閘極結構,調整不同閘極結構之有效通道寬度大小比例,而提高靜 態隨機存取記憶體之表現。
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2018/12/28 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3069339專 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3069339專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 半導體製程設備以及預防破片的方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/25 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 83,760 4.其他應敘明事項: 一種半導體製程設備,其適於處理基板。半導體製程設備包括腔體、靜電吸盤、 氣體交換管路、進氣排氣單元、壓力調節管路以及壓力調節閥門。靜電吸盤配置 於腔體內且適於吸附基板。靜電吸盤包括圖案化溝槽。圖案化溝槽與基板之間形 成圖案化氣體通道。氣體交換管路連接圖案化氣體通道。進氣排氣單元連接氣體 交換管路。壓力調節管路連接於氣體交換管路與腔體之間。壓力調節閥門配置於 壓力調節管路中。另提供一種預防破片的方法。
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