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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I615979專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/02/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 73,600

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種半導體元件,其包括一基底、二摻雜區、一閘極以及一側壁子。

基底包括一主動區,且摻雜區設置於基底之主動區內。閘極設置於基底表面並位

於主動區內,在平行於基底表面之第一方向上,閘極位於兩摻雜區之間,且閘極

內包括複數個開孔。一部分之側壁子覆蓋閘極之側壁,而另一部分之側壁子填入

閘極之開孔中。

<摘錄公開資訊觀測站>

2018/3/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9865327專利
2018/3/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I615854專利
2018/3/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I615957專利
2018/3/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I615979專利】
2018/3/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I615189專利
2018/3/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I615912專利
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2017/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2714081專
2017/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2694950專
2017/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2667934專
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