1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導體元件
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/02/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 73,600
4.其他應敘明事項:
本發明提供一種半導體元件,其包括一基底、二摻雜區、一閘極以及一側壁子。
基底包括一主動區,且摻雜區設置於基底之主動區內。閘極設置於基底表面並位
於主動區內,在平行於基底表面之第一方向上,閘極位於兩摻雜區之間,且閘極
內包括複數個開孔。一部分之側壁子覆蓋閘極之側壁,而另一部分之側壁子填入
閘極之開孔中。
<摘錄公開資訊觀測站>