未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體記憶裝置

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/01/09

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 167,355

4.其他應敘明事項:

半導體記憶裝置，於通常讀出或寫入模式與自動再新模式中進行選擇動作，包括

：感測放大器，自記憶元件讀出資料；第1開關元件，於第1期間，在將作為過驅

動電壓的第1電源電壓連接於第1電源中間節點後，於第2期間，將作為陣列電壓的

第2電源電壓連接於第1電源中間節點；第2開關元件，於感測放大器的驅動時將第

4電源電壓連接於感測放大器的第2電源中間節點；第1電容器，連接於過驅動電壓

且對過驅動電壓進行充電；第3開關元件，於自動再新模式時導通；及電壓產生部

件，產生第3電源電壓並經由第3開關元件與第1電源電壓並聯地施加。

<摘錄公開資訊觀測站>