1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
內部電源電壓產生電路、半導體記憶裝置及半導體裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/29
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 223,440
4.其他應敘明事項:
本發明為其以內部電源電壓成為基準電壓的方式進行調整。所述內部電源電壓產
生電路包括:電荷共享電路,包含充電電容器、初始電壓調整電路及電荷重置電
路,所述充電電容器經由開關電路而連接於差動放大器,且以控制電壓的電荷進
行充電,所述初始電壓調整電路對充電電容器調整並施加初始電壓,所述電荷重
置電路對充電電容器進行放電,當內部電源電壓較基準電壓而下降時,將具有初
始電壓的充電電容器連接至差動放大器,在傳輸期間內將控制電壓的電荷傳輸至
充電電容器。
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