未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/11/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$84,600

4.其他應敘明事項:

本發明提出一種非揮發性記憶體具有穿隧介電層、浮置閘極、控制閘極、閘間介

電層、第一摻雜區與第二摻雜區。穿隧介電層配置於基底上。浮置閘極配置於穿

隧介電層上，且浮置閘極具有凸出部。控制閘極配置於浮置閘極上方，並覆蓋、

環繞凸出部。其中，浮置閘極的凸出部無論從任何方向(例如位元線或字元線方向

或位元線及字元線間所夾任何角度的方向)皆被控制閘極完全包覆、環繞在裡面。

閘間介電層配置於浮置閘極與控制閘極之間。第一摻雜區與第二摻雜區分別配置

於控制閘極二側的基底中。

<摘錄公開資訊觀測站>