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YMC推1.5V以下的低電壓讀取記憶體IP

　　億而得微電子公司(Yield Microelectronics Corp.，YMC)日前表示，已於3.3V元件邏輯平台上開發出可低電壓讀取的嵌入式邏輯製程可程式快閃記憶體IP，其讀取電壓可低至1.5V以下，現可提供0.35um製程的IP，容量由1 x 8位元到16k x 16位元。
　　除了具備1.5V以下低讀取電壓優點外，新IP還具備低開發成本、低生產成本、位元組(Byte)抹除寫入能力及可多次電性抹除寫入等特性。為滿足不同應用領域需求，YMC也採用0.25um、0.18um及0.13um製程技術同步開發此一技術。
　　YMC預估，採用0.25um、0.18um及0.13um製程技術進行開發的產品，除了可降低成本、提高效能及提升客戶產品競爭優勢，其讀取電壓還也預計比採用0.35um製程技術的元件更低，未來將朝向低於1.0V以下讀取電壓的目標邁進。
　　舉例而言，若使用一顆1.5V電池，就會要求1.2V工作電壓；而若使用一顆1.2V電池，就會要求1.0V甚至0.9V的工作電壓，因此，隨著手持式及低耗電產品需求的增加，低工作電壓元件也日益重要。
　　YMC已開發出多種低電壓讀取、採嵌入式邏輯製程的可編程非揮發性記憶體，包括Flash、EEPROM、EPROM在內，並提供客製化IP設計服務。目前該公司也正與國內數家晶圓代工廠合作。http://www.eettaiwan.com/ART_8800566426_628626_NP_37c23d63.HTM<擷錄公司網站>

2007/11/20【以邏輯製程的　NVM 技術，提高客戶獲利與產品效能】
2007/11/1【億而得開發新型邏輯製程非揮發性記憶】
2011/9/14【聯電推面積最小MTP矽智財解決方案 0.18微米下半年量產】
2009/3/16【YMC推1.5V以下的低電壓讀取記憶體IP】
2008/3/17【億而得微電子專精邏輯製程嵌入式快閃記憶體技術】
2008/2/29【邏輯製程嵌入式性快閃記憶體,不需加光罩,不需改製程】
2006/4/16【福華先進採用億而得微電子嵌入式AG-Tag　安全晶片，採標準 CMOS 】
2006/2/7【億而得微電子推出標準邏輯製程 EEPROM 擁有百萬次寫入與抹除能】
2012/3/1【億而得推出高速、寬電壓、低光罩層數1M bits MTP】
2010/11/16【億而得搶攻MTP IP技術取得國內前幾大IC設計公司訂單】
2010/8/30【億而得IC產品國際水準】
2009/4/2【億而得推出1.5伏特以下低電壓讀取邏輯製程嵌入式可程式非揮發性】
2008/12/5【旺宏、億而得攜手開發0.5微米EEPROM IP平台】
2008/11/6【億而得微電子推出高壓製程嵌入式可程式非揮發性記憶體】

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