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聯電推面積最小MTP矽智財解決方案 0.18微米下半年量產

　　聯電13日宣佈，與億而得微電子的共同開發專案已成功開花結果，將推出晶圓專工業界面積最小的MTP非揮發性記憶體IP解決方案。此一解決方案將使客戶得以於單一晶片上嵌入更多記憶體，藉以增加更多功能並且降低整體成本，聯電指出，0.18微米製程預期將在今年下半年進入量產。
　　聯電表示，今年下半年預計將有多家採用此解決方案的客戶於0.18微米製程進入量產。聯電與台灣億而得微電子所進行的MTP非揮發性記憶體IP合作開發，自0.35微米起至更先進的製程與特殊技術，已持續進行數年的時間。雙方的MTP非揮發性記憶體IP解決方案已在0.35/0.25製程平台量產，在0.11微米及以下製程的開發也正在持續進行當中。
　　聯電特殊技術開發處陳立哲資深處長表示，「與億而得微電子在MTP IP解決方案上共同耕耘所獲得的成果，展現聯電在特殊技術方面對客戶的承諾，提供客戶一系列創新，高效能與小面積的完整解決方案」，他說，「在技術創新上，聯電再一次交出亮眼的成績單，推出晶圓專工業界面積最小的MTP解決方案，協助客戶達到今日應用產品高規格的技術需求」。
　　億而得微電子副總林信章表示，「很高興能與聯電合作，提供架構單純，適用性廣泛，高可靠度，並且符合成本效益的嵌入式MTP非揮發性記憶體IP技術給客戶。採用聯電經驗證的0.18微米製程，使客戶得以在無須增加額外光罩成本的情況下，運作核心邏輯製程，得到最佳化的成果與縮短量產時程」。<擷錄公司網站>

2012/3/21【億而得推出多款MTP IP】
2007/11/20【以邏輯製程的　NVM 技術，提高客戶獲利與產品效能】
2007/11/1【億而得開發新型邏輯製程非揮發性記憶】
2011/9/14【聯電推面積最小MTP矽智財解決方案 0.18微米下半年量產】
2009/3/16【YMC推1.5V以下的低電壓讀取記憶體IP】
2008/3/17【億而得微電子專精邏輯製程嵌入式快閃記憶體技術】
2008/2/29【邏輯製程嵌入式性快閃記憶體,不需加光罩,不需改製程】
2006/4/16【福華先進採用億而得微電子嵌入式AG-Tag　安全晶片，採標準 CMOS 】
2006/2/7【億而得微電子推出標準邏輯製程 EEPROM 擁有百萬次寫入與抹除能】
2012/3/1【億而得推出高速、寬電壓、低光罩層數1M bits MTP】
2010/11/16【億而得搶攻MTP IP技術取得國內前幾大IC設計公司訂單】
2010/8/30【億而得IC產品國際水準】
2009/4/2【億而得推出1.5伏特以下低電壓讀取邏輯製程嵌入式可程式非揮發性】
2008/12/5【旺宏、億而得攜手開發0.5微米EEPROM IP平台】

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