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億而得推出1.5伏特以下低電壓讀取邏輯製程嵌入式可程式非揮發性

億而得推出1.5伏特以下低電壓讀取邏輯製程嵌入式可程式非揮發性記憶體
　　專註於嵌入式邏輯製程可程式非揮發性記憶體(NVM)的IC設計公司億而得微電子(Yield Microelectronics Corp; YMC)，日前宣佈於3.3V元件邏輯平台上開發完成可低電壓讀取之嵌入式邏輯製程可程式快閃記億體IP，讀取電壓可以低到1.5伏特以下，目前可提供0.35um製程技術記憶體IP，記億體容量由1x8位元到16x16位元，除了具有1.5伏特以下低讀取電壓之優點之外，還具備低開發成本、低生產成本、位元組(Byte)抹除寫入能力及可多次電性抹除寫入之優點，並為滿足各應用領域客戶的需求。
　　億而得徵電子於0.25um、0.18um及0.13um製程技術同步開發此一技術，該公司預估於0.25um、0.18um及0.13um製程技術，除了低成本、提高效能及提升客戶產品競爭優勢之外，預取電壓還可以比0.35um製程技術更低，未來將朝向1.0伏特以下讀取電壓的目標。
　　低電壓讀取主要目標應用為手持式及低耗電市場，目前許多手持式的應用，都希望能延長充電後使用時間，又不能增加電池體積，因此低電壓的趨勢及需求日益重要及明顯。舉例而言，如果是使用一顆1.5伏特的電池，就會要求到1.2伏特的工作電壓，而如果是使用一顆1.2伏特的電池，更會要求到1.2伏特甚至於0.9伏特的工作電壓，因此低工作電壓的市場需求隨著手持式及低耗電產品需求的增加而日益重要。
　　億而得微電子已開發完成多種低電壓讀取的嵌入式邏輯製程可程式非揮發性記億體如Flash、EEPROM、EPROM等，並提供客制化IP設計服務，為了滿足客戶的需求，億而得微電子目前已與國內幾家晶圓代工廠進行合作中。<摘錄電子>

2012/3/1【億而得推出高速、寬電壓、低光罩層數1M bits MTP】
2010/11/16【億而得搶攻MTP IP技術取得國內前幾大IC設計公司訂單】
2010/8/30【億而得IC產品國際水準】
2009/4/2【億而得推出1.5伏特以下低電壓讀取邏輯製程嵌入式可程式非揮發性】
2008/12/5【旺宏、億而得攜手開發0.5微米EEPROM IP平台】
2008/11/6【億而得微電子推出高壓製程嵌入式可程式非揮發性記憶體】

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