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億而得微電子推出高壓製程嵌入式可程式非揮發性記憶體

　　億而得微電子公司(YMC)日前宣佈於5V元件高壓製程平台上，開發完成可取代熔絲燒斷應用之電性抹除寫入、高壓製程嵌入式EEPROM IP，其容量由8位元到1024位元，具有小面積、低讀取電壓、可達萬次電性抹除寫入等優點。
　　為了滿足各應用領域客戶的需求，YMC開發出有含升壓電路及不含升壓電路兩系列之嵌入式EEPROM IP，不含升壓電路之嵌入式EEPROM IP可減少面積，含升壓電路之嵌入式EEPROM IP，可提高客戶使用效率及彈性。
　　億而得表示，相對於傳統以大電流燒之對屬熔絲(Metal Fuse)及複晶矽熔絲(Poly Fuse)，或是以雷射燒斷之金屬熔絲(Laser Fuse)，使用嵌入式可程式非揮發性記憶，可以在封裝完畢之後，仍可進行此一參數設定修改，更可於客戶使用時進行此一參數設定修改，大幅提升客戶使用的方便性及產品的價值。
　　目前許多國外廠商已陸續推出具有此一參數設定修改的產品，都計未來此一參數設定修改功能，將成為必要的功能，億而得微電子於高壓製程平台開發可取代熔絲燒斷應用之嵌入式EEPROM IP，在不改變客戶現有的製程條件下，推出最方便開發也是最有競爭力的方案。
　　億而得指出，預估高壓平台嵌入式可程式非揮發性記憶體，將可應用於電源及電源管理IC、LCD驅動IC、LED驅動IC。於電源及電源管理IC上，藉由寫入嵌入式元件微調控制電壓電流的準確度、記錄系統狀態及儲存系統錯誤訊息，以提升系統電源效率；在LCD驅動IC應用上，為調整LCD色彩對比度及掃瞄頻率，以有效提升彩色LCD畫面品質；在LED驅動IC方面，利用此元件調整電流精準度，提高LED光的品質。
　　億而得微電子提供一個低成本、高效率、具彈性的高壓製程平台嵌入式非揮發性記憶體解決方案，以提升客戶產品的競爭優勢，並將持續開發各種不同製程的嵌入式可程式非揮性記憶體，並可提供客製化IP設計服務，以滿足各產業及客戶的需求。<錄錄電子>

2010/8/30【億而得IC產品 國際水準】
2009/4/2【億而得推出1.5伏特以下低電壓讀取邏輯製程嵌入式可程式非揮發性】
2008/12/5【旺宏、億而得攜手開發0.5微米EEPROM IP平台】
2008/11/6【億而得微電子推出高壓製程嵌入式可程式非揮發性記憶體】

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