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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622169專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/04/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 53,8004.其他應敘明事項:一種半導體元件的製造方法，包括以下步驟。於基底上分別形成第一應力層與第二應力層。於第一應力層與第二應力層上形成緩衝層。對基底進行佈植製程，以於第一應力層與第二應力層的下方的基底中形成預切割面。進行接合處理，以將載板接合至緩衝層上。進行熱處理，使得基底的一部分自預切割面分離。於基底的另一部分的預切割面上進行前段製程。<摘錄公開資訊觀測站>

2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622133專利】
2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I627711專利】
2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622165專利】
2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622169專利】
2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622169專利】
2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622176專利】
2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I627732專利】
2018/6/25【兩岸5Ｇ商機對接】
2018/6/19【DRAM…我還有三年好光景】
2018/6/5【台積挖礦訂單 傳三星分食】
2018/5/29【股東行動主義 實踐力晶小股東正義】
2018/5/25【股利加碼 將配發2.2元】
2018/5/25【高通揪台積 攻VR晶片】
2018/5/25【力晶動起來 兩岸分工確立】

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