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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622176專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:MIM電容之結構及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/04/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 109,2004.其他應敘明事項:一種金屬-絕緣層-金屬(Metal-Insulator-Metal：MIM)電容，其中包括第一電極層、第二電極層以及倒T型介電層堆疊結構。其中倒T型介電層堆疊結構形成於第一電極層與第二電極層之間。上述之倒T型介電層堆疊結構包括垂直部及水平部連接該垂直部，其中另一介電層圖案形成於該垂直部與水平部之間，以形成該倒T型介電層堆疊結構。<摘錄公開資訊觀測站>

2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622165專利】
2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622169專利】
2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622169專利】
2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622176專利】
2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I627732專利】
2018/6/25【兩岸5Ｇ商機對接】
2018/6/19【DRAM…我還有三年好光景】
2018/6/5【台積挖礦訂單傳三星分食】
2018/5/29【股東行動主義實踐力晶小股東正義】
2018/5/25【股利加碼將配發2.2元】
2018/5/25【高通揪台積攻VR晶片】
2018/5/25【力晶動起來兩岸分工確立】
2018/5/25【力晶上市自救會拿下1席董事】
2018/5/24【股東會決議通過解除董事競業禁止之限制】

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