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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I627732專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:雙位元快閃記憶體記憶體結構及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/06/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 117,5004.其他應敘明事項:一種雙位元快閃記憶體結構，包含位於基材上的選擇閘極氧化物層、容置於選擇閘極氧化物層中的選擇閘極，選擇閘極兩側各有一組複合閘極層。各別複合閘極層包含浮置閘極氧化層、浮置閘極、複合材料層、控制閘極與間隙壁。浮置氧化矽位於基材上。浮置閘極位於浮置氧化層上。複合材料層位於浮置閘極上。控制閘極位於複合材料層上。間隙壁位於控制閘極上。<摘錄公開資訊觀測站>

2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622169專利】
2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622169專利】
2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I622176專利】
2018/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I627732專利】
2018/6/25【兩岸5Ｇ商機對接】
2018/6/19【DRAM…我還有三年好光景】
2018/6/5【台積挖礦訂單傳三星分食】
2018/5/29【股東行動主義實踐力晶小股東正義】
2018/5/25【股利加碼將配發2.2元】
2018/5/25【高通揪台積攻VR晶片】
2018/5/25【力晶動起來兩岸分工確立】
2018/5/25【力晶上市自救會拿下1席董事】
2018/5/24【股東會決議通過解除董事競業禁止之限制】
2018/5/24【公告本公司董事變動達三分之一以上公告】

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