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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559586專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 63,2004.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層與至少一記憶胞串。介電層設置於基底上。記憶胞串包括多個記憶胞與至少一第一內連線結構。記憶胞垂直相鄰地設置於介電層中，且各記憶胞包括第一導線、第二導線與可變電阻結構。第二導線設置於第一導線的一側，且第二導線的上表面高於第一導線的上表面。可變電阻結構設置於第一導線與第二導線之間。在垂直相鄰的記憶胞中的可變電阻結構彼此隔離。第一內連線結構連接垂直相鄰的第一導線。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559424專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555112專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559114專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559586專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559455專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559370專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559308專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559009專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555246專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559585專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555213專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555065專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555120專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559459專利】

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