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未上市櫃股票公司名稱 |
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2014/9/26 | 富元精密科技 未 | 公告103年8月份自結財務報告之負債比率.流動比率及速動比率 |
1.事實發生日:103/09/26 2.公司名稱:富元精密科技股份有限公司(原名:富元精密鍍膜股份有限公司) 3.與公司關係(請輸入本公司或聯屬公司):本公司 4.相互持股比例(若前項為本公司,請填不適用):不適用 5.發生緣由:因本公司103年度第2季財務報告之負債比率偏高達67%, 依櫃買中心證櫃審字第1030101313號函要求辦理公告。 6.因應措施:每月底前公告自結財務報告截至前一月底之負債比率、 流動比率及速動比率。 103年8月份自結財務報告之財務比率 負債比率=68.40% 流動比率=134.47% 速動比率=101.56% 7.其他應敘明事項:無
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2014/9/26 | 百丹特生醫 未 | 因事實發生日誤植,更正公告本公司8月份自結合併報表 部分財務比 |
因事實發生日誤植,更正公告本公司8月份自結合併報表 部分財務比率
1.事實發生日:103/09/26 2.公司名稱:百丹特生醫股份有限公司 3.與公司關係(請輸入本公司或聯屬公司):本公司 4.相互持股比例(若前項為本公司,請填不適用):不適用 5.發生緣由:依OTC 103年9月11日證櫃審字第1030024232號函辦理. 6.因應措施:一、103年8月份合併報表之財務比率 負債比率: 44.73 % 流動比率:332.54 % 速動比率:115.30 % 二、103年8月份之全體銀行額度與使用情形: 融資額度: 110,000 仟元 已用額度: 110,000 仟元 額度餘額: 0 仟元 三、未來三個月預計現金收支狀況:(單位:仟元) 項目/ 月份 103年09月 103年10月 103年11月 期初餘額 55,900 95,399 169,957 現金流入合計 23,577 24,910 24,051 現金流出合計 48,578 48,504 48,434 財務調度現金流入(出)淨額 64,500 98,152 148,152 期末現金餘額 95,399 169,957 293,726 7.其他應敘明事項:無
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2014/9/26 | 正德海運 | 公告本公司辦理股票初次上櫃過額配售內容 |
1.事實發生日:103/09/26 2.公司名稱:正德海運股份有限公司 3.與公司關係(請輸入本公司或聯屬公司):本公司 4.相互持股比例(若前項為本公司,請填不適用):不適用 5.發生緣由:公告本公司辦理股票初次上櫃過額配售內容。 6.因應措施:不適用。 7.其他應敘明事項: 一、掛牌第一個交易日至第五個交易日:103/10/9~103/10/16 二、承銷價格:每股新台幣13元 三、公開承銷數量:10,200,000股(不含過額配售數量) 四、過額配售數量:300,000股 五、過額配售佔公開承銷數量比例:2.94% 六、過額配售所得價款:新台幣3,900,000元
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2014/9/26 | 佳晶科技 未 | 公告本公司103年第一次股東臨時會重要決議事項 |
1.臨時股東會日期:103/09/26 2.重要決議事項: (一)本公司章程部分條文修正案。 (二)本公司「取得或處分資產處理程序」部分條文修正案。 3.其它應敘明事項:無
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2014/9/26 | 北港有線 公 | 公告本公司董事會決議減資基準日。 |
1.事實發生日:103/09/26 2.發生緣由:本公司董事會決議減資基準日 3.因應措施:無。 4.其他應敘明事項: (1).減資基準日:103/10/01 (2).減資換發股票作業計畫:NA (3).減資換發股票基準日:NA (4).減資後新股權利義務:其權利義務與原發行之股份相同 (5).減資換發新股日:NA (6).一、本公司於103年5月29日股東會決議通過辦理減少實收資本額 新台幣400,000,000元整,銷除股份40,000,000股,業經行政院金融 監督管理委員會於103年9月15日金管證發字第1030049624號核准在案。 二、減資銷除股份相關事項如下: 1、原股份總數、已發行股份數額及每股金額: (1)本公司實收資本額為新台幣620,000,000元整,分為普通股62,000,000股, 每股面額新台幣10元整。 2、本次減資金額、銷除股份數及其他減資銷除股份條件: (1)本次辦理減資比例約為64.516129%,以本公司目前實收股本新台幣 620,000,000元為計算基礎,減資金額為新台幣400,000,000元整。 (2)本次減少之股份,按減資基準日股東名簿所記載之股東持有股份分別計算, 每仟股減資約645.16129股,總計註銷股份40,000,000股(含私募20,645,161 股)。減資後如有不足1股之畸零股,由股東於基準日起五日內自行拼湊成 一股向公司辦理登記,其拼湊不足部份,按面額折付現金計算至元為止, 或授權由董事長洽特定人按面額承購之。 3、減資後實收資本額為新台幣220,000,000元整,分為普通股22,000,000股 (含私募11,354,839股),每股面額新台幣10元整。 4、本次減少資本用途:為提高股東權益報酬率,並降低閒置資金。 5、減資基準日訂為103年10月01日。 6、停止過戶期間:103年9月27日至103年10月1日止。 7、俟呈奉經濟部核准資本額變更登記後,授權董事會訂定減資換發基準日並辦理換發新 股相關事宜;屆時將依規定公告之。
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2014/9/26 | 兆豐國際商銀 公 | 本公司兆豐國際商銀公告轉投資事業依國際會計準則公報 第39號認 |
1.事實發生日:103/09/26 2.發生緣由:無 3.因應措施:無 4.其他應敘明事項: (1)本行轉投資事業依國際會計準則公報第39號之規定認列103年 09月份金融資產減損金額為新台幣2.16億元。 (2)另前項資產減損並無實際現金流出, 預估對本行盈餘及營運應無重大影響。
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2014/9/26 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得美國專利局核發US 8824206專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 非揮發性半導體記憶裝置及其讀出方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/09/16 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$200,728 4.其他應敘明事項: 本發明提供一種可防止通道升壓、防止電流從位元線流至源極線且縮短資料讀取所需 的感測時間的非揮發性半導體裝置及其讀出方法。此非揮發性半導體裝置包括:複數 的記憶體串,由分別連接至各字元線的複數記憶胞串連而成,每個記憶體串透過第一 及第二選擇閘電晶體連接於位元線與源極線之間;控制電路,控制第一及第二選擇閘 電晶體,使得當字元線的電壓上升至既定的位準用以讀出記憶胞中的資料時,第一選 擇閘電晶體導通且第二選擇閘電晶體關閉的第一狀態以及第一選擇閘電晶體關閉且第 二選擇閘電晶體導通的第二狀態交互產生。
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2014/9/26 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得美國專利局核發US 8786014專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 垂直通道電晶體陣列及其製造方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/08/15 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$454,865 4.其他應敘明事項: 一種垂直通道電晶體陣列,包括多條埋入式位元線、多條位元線接觸窗、多個埋入式 字元線與漏電流隔離結構。多個半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。多條埋入式 位元線平行設置於半導體基底中,在行方向延伸。多條位元線接觸窗分別設置於埋入 式位元線的一側。多個埋入式字元線,平行設置於埋入式位元線上方,在列方向延伸, 且隔著閘介電層而連接同一列之半導體柱。漏電流隔離結構設置於埋入式位元線末端 部分,以避免相鄰位元線接觸窗之間產生漏電流。
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2014/9/26 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得美國專利局核發US 8741754專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 非揮發性記憶體及其製造方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/07/07 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$152,731 4.其他應敘明事項: 本發明提出一種非揮發性記憶體具有穿隧介電層、浮置閘極、控制閘極、閘間介電層、 第一摻雜區與第二摻雜區。穿隧介電層配置於基底上。浮置閘極配置於穿隧介電層上, 且浮置閘極具有凸出部。控制閘極配置於浮置閘極上方,並覆蓋、環繞凸出部。其中, 浮置閘極的凸出部無論從任何方向(例如位元線或字元線方向或位元線及字元線間所夾 任何角度的方向)皆被控制閘極完全包覆、環繞在裡面。閘間介電層配置於浮置閘極與 控制閘極之間。第一摻雜區與第二摻雜區分別配置於控制閘極二側的基底中。
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2014/9/26 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得美國專利局核發US 8754703專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 內部電壓調整電路、內部電壓調整方法以及半導體裝置 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/07/01 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$185,637 4.其他應敘明事項: 一種內部電壓調整電路,包括:一控制裝置,利用一時脈的計數值的變化調整一內部 電壓,其中一半導體裝置的一內部電壓產生器產生該內部電壓,一時脈產生器根據流 過該時脈產生器之一電源電流源之一電晶體的電流產生該時脈;其中當一預定參考電 壓施加至該電晶體之控制端時,該控制裝置計數該時脈產生器所產生之該時脈的第一 計數值,當該內部電壓施加至該電晶體之該控制端時,該控制裝置計數該時脈產生器 所產生之該時脈的第二計數值,且該控制裝置控制該內部電壓產生器所產生之該內部 電壓以使該第二計數值實質上與該第一計數值一致。
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2014/9/26 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得美國專利局核發US 8738836專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND WRITE-IN METHOD THEREOF 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/07/27 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$794,264 4.其他應敘明事項: A non-volatile semiconductor memory device, comprising: a non-volatile memory array, storing multi-values by setting a plurality of different threshold voltages for each memory cell, and a control circuit, controlling a write-in operation to the memory cell array. When data have been written into the memory cell, the control circuit selects an adjacent word line, uses an erasing level to perform write-in which is weaker than the data write-in, and verifies soft programming of the amount of one page, such that a narrow-banded erasing level distribution is realized in an adjacent memory cell.
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2014/9/26 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得日本專利局核發JP 5586666專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND READING-OUT METHOD THEREFORE 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/08/18 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$279,099 4.其他應敘明事項: In a non-volatile semiconductor memory device outputting a data value determined according to a majority rule by reading-out data from each memory cell for an odd number of times, an odd number of latch circuits, each of which comprises a capacitor for selectively holding a voltage of each of the data read-out from the memory cell for the odd number of times in sequence, is provided. The capacitor of each latch circuit is connected in parallel after the capacitor of each latch circuit selectively holds the voltage of each of the data read-out from the memory cell for the odd number of times in sequence, and the data value is determined by the majority rule based on a composite voltage of the capacitor of each latch circuit connected in parallel.
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2014/9/26 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1440777專 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 用於NAND快閃記憶體技術領域的寫入方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/08/08 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$250,558 4.其他應敘明事項: 一種NAND快閃記憶體的寫入方法、可以利用一自我升壓方案來減少在禁止寫入記 憶胞串的通道中之超額的電子,這些電子會引起寫入干擾。在升壓通道之前,可以 施加一負電壓到連接禁止寫入記憶胞串的字元線,來妍吨W述的減少步驟,並且可 以產生高的寫入防護。另外,一列解碼器可以實現寫入操作,並且一檔案系統以上 述的寫入方案為基礎而實現增進檔案管理的效能。
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2014/9/26 | 力晶創新投資控股 公 | 公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I451416專利 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 用於NAND快閃記憶體技術領域的寫入方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/09/01 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$122,100 4.其他應敘明事項: 一種NAND快閃記憶體的寫入方法、可以利用一自我升壓方案來減少在禁止寫入記 憶胞串的通道中之超額的電子,這些電子會引起寫入干擾。在升壓通道之前,可以 施加一負電壓到連接禁止寫入記憶胞串的字元線,來妍吨W述的減少步驟,並且可 以產生高的寫入防護。另外,一列解碼器可以實現寫入操作,並且一檔案系統以上 述的寫入方案為基礎而實現增進檔案管理的效能。
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2014/9/26 | 正揚生醫科技 未 | 公告本公司名稱「國維聯合科技股份有限公司」更名為 「正揚生醫 |
公告本公司名稱「國維聯合科技股份有限公司」更名為 「正揚生醫科技股份有限公司」
1.事實發生日:103/09/26 2.公司名稱:正揚生醫科技股份有限公司 3.與公司關係(請輸入本公司或聯屬公司):本公司 4.相互持股比例(若前項為本公司,請填不適用):不適用 5.發生緣由:(1)依據本公司103年6月25日股東常會決議通過變更公司名稱, 業經台北市政府103年7月14日府產業商字第10385839600號函核准, 本公司名稱由「國維聯合科技股份有限公司」更名為「正揚生醫科技股份有限公司」。 (2)公司股票代號未變動,仍為「4734」 (3)有關本公司更名全面換發股票相關日期,將另行公告。 6.因應措施:無 7.其他應敘明事項:依據財團法人中華民國證券櫃檯買賣中心證券商營業處所買賣興 櫃股票審查準則第27條規定,連續公告三個月。
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2014/9/26 | 台灣數位光訊科技 | 公告本公司董事會決議召開股東臨時會相關事宜 |
1.董事會決議日期:103/09/26 2.股東臨時會召開日期:103/11/19 3.股東臨時會召開地點:台中市烏日區溫泉路2號(清新溫泉度假飯店宴會廳) 4.召集事由: 一、報告事項:(一)「董事會議事規則」訂定報告案。(二)「董事會運作管理辦法」 訂定報告案。(三)「道德行為準則」訂定報告案。(四)「誠信經營守則」訂定報告 案。 二、討論暨選舉事項:(一)討論「股東會議事規則」部分條文修正案。(二)討論「公 司章程」部分條文修正案。(三)討論「董事及監察人選舉辦法」部分條文修正案。 (四)討論「監察人之職權範疇規則」訂定案。(五)討論「辦理現金增資發行新股作為 上市前公開承銷之股份來源案」。(六)討論「資金貸與及背書保證作業程序」部分條 文修正案。(七)討論「取得或處分資產處理程序」部分條文修正案。(八)補選董事、 監察人案。(九)解除新任董事競業禁止之限制案。 三、臨時動議。 5.停止過戶起始日期:103/10/21 6.停止過戶截止日期:103/11/19 7.其他應敘明事項:無
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2014/9/26 | 昕琦科技 未 | 公告本公司董事會決議通過大陸投資案 |
1.事實發生日:自民國103/9/25至民國103/9/25 2.本次新增(減少)投資方式: 直接於大陸投資設立100%持股子公司 3.交易單位數量、每單位價格及交易總金額: 本次投資計畫金額以美金$500,000元為上限 4.大陸被投資公司之公司名稱: 尚未確定 5.前開大陸被投資公司之實收資本額: 大陸被投資公司尚未設立 6.前開大陸被投資公司本次擬新增資本額: 計畫金額以美金$500,000元為上限 7.前開大陸被投資公司主要營業項目: 市場開拓及售後服務等 8.前開大陸被投資公司最近年度財務報表會計師意見型態: 不適用(新設立公司) 9.前開大陸被投資公司最近年度財務報表淨值: 不適用(新設立公司) 10.前開大陸被投資公司最近年度財務報表損益金額: 不適用(新設立公司) 11.迄目前為止,對前開大陸被投資公司之實際投資金額: 0 12.交易相對人及其與公司之關係: 為本公司轉投資之子公司 13.交易相對人為關係人者,並應公告選定關係人為交易對象之原因及前次移轉 之所有人、前次移轉之所有人與公司及交易相對人間相互之關係、前次移轉日期及移轉金額: 不適用 14.交易標的最近五年內所有權人曾為公司之關係人者,尚應公告關係人之取得 及處分日期、價格及交易當時與公司之關係: 不適用 15.處分利益(或損失): 不適用 16.交付或付款條件(含付款期間及金額)、契約限制條款及其他重要約定事項: 不適用 17.本次交易之決定方式、價格決定之參考依據及決策單位: 本公司係經103年9月25日董事會出席董事過半數通過,並授權董事長於適當時機 全權辦理之。 18.經紀人: 不適用 19.取得或處分之具體目的: 長期投資 20.本次交易表示異議董事之意見: 投資評估報告資料不足 21.本次交易為關係人交易:否 22.董事會通過日期: 1.民國 年 月 日 2.不適用,請寫原因 3.依『公開發行公司取得或處分資產處理準則』第14條第3 項規定,得事後再提報最近期之董事會追認,擬追認後補行 公告董事會通過日期 (以上文字請自行增刪) 23.監察人承認或審計委員會同意日期: 1.民國 年 月 日 2.不適用,請寫原因 3.待監察人承認後補行公告 (以上文字請自行增刪) 24.迄目前為止,投審會核准赴大陸地區投資總額(含本次投資): 本次尚未經投審會核准。 25.迄目前為止,投審會核准赴大陸地區投資總額(含本次投資)占最近期財務報表 實收資本額之比率: 0 26.迄目前為止,投審會核准赴大陸地區投資總額(含本次投資)占最近期財務報表 總資產之比率: 0 27.迄目前為止,投審會核准赴大陸地區投資總額(含本次投資)占最近期財務報表 歸屬於母公司業主之權益之比率: 0 28.迄目前為止,實際赴大陸地區投資總額: 0 29.迄目前為止,實際赴大陸地區投資總額占最近期財務報表實收資本額之比率: 0 30.迄目前為止,實際赴大陸地區投資總額占最近期財務報表總資產之比率: 0 31.迄目前為止,實際赴大陸地區投資總額占最近期財務報表歸屬於母公司業主之權益之比率: 0 32.最近三年度認列投資大陸損益金額: 0 33.最近三年度獲利匯回金額: 0 34.本次交易會計師出具非合理性意見:否或不適用 35.其他敘明事項: 本次大陸投資係經董事會通過,尚未經投審會核准。
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2014/9/26 | 彥陽科技 未 | 公告本公司103年08月份自結合併報表之流動比率、速動比率 及負債 |
公告本公司103年08月份自結合併報表之流動比率、速動比率 及負債比率情形
1.事實發生日:103/09/26 2.公司名稱:彥陽科技股份有限公司 3.與公司關係(請輸入本公司或聯屬公司):本公司 4.相互持股比例(若前項為本公司,請填不適用):不適用 5.發生緣由:依財團法人中華民國證券櫃檯買賣中心證櫃審字第1030101287號函公告辦理 本公司103年08月自結合併報表之部份財務比率如下: 流動比率=135.41% 速動比率=91.70% 負債比率=72.79% 6.因應措施:無 7.其他應敘明事項:無
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2014/9/26 | 日友環保科技 | 公告取得會計師內部控制專案審查報告 |
1.取得會計師「內部控制專案審查報告」日期:103/09/23 2.委請會計師執行內部控制專案審查日期:102/07/01~103/06/30 3.委請會計師執行內部控制專案審查之緣由:依主管機關規定辦理 4.申報公告「內部控制專案審查報告」內容之日期:103/09/26 5.其他應敘明事項:無。
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2014/9/26 | 宇智網通 | 澄清103年9月26日工商時報C3版報導 |
1.傳播媒體名稱:工商時報 2.報導日期:103/09/26 3.報導內容: …複製北美4G市場成功經驗,宇智今年營收力拼新高。 …接近去年全年獲利,營運邁入快速成長期。 4.投資人提供訊息概要:無 5.公司對該等報導或提供訊息之說明:該報導係屬媒體自行推估及臆測,本公司並未 對外發佈財務預測,相關財務業務資訊以公開資訊觀測站公告為準,為免誤導投資 人,特此澄清說明。 6.因應措施:於公開資訊觀測站以重大訊息澄清說明之。 7.其他應敘明事項:無
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