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1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

CMOS 影像感測單元及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/12

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 206,983

4.其他應敘明事項:

一種CMOS 影像感測單元及其製造方法。所述影像感測單元包括感光二極體、轉移

閘、重置閘、源極隨耦閘、轉移閘與重置閘之間的浮汲極區，以及PIP 型電容器，

其中PIP 型電容器的複晶矽下電極與浮汲極區和源極隨耦閘電性連接，而兼作為浮

汲極區和源極隨耦閘之間的內連線。所述製造方法包括：在浮汲極區和源極隨耦閘

上形成接觸窗，然後形成PIP 型電容器，其複晶矽下電極與各接觸窗連接。

<摘錄公開資訊觀測站>

2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9384844專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9390931專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9391107專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9391115專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9406784專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9397562專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9391271專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9419053專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9368396專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9397183專利】
2016/9/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2083219專】
2016/9/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2083999專】
2016/9/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5976077專利】
2016/9/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5976055專利】
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