未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

隔離結構及具有其之非揮發性記憶體的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/08/02

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 222,225

4.其他應敘明事項:

一種隔離結構的製造方法，適用於非揮發性記憶體的製程中。此方法是提供基底

，並於基底上依序形成介電層、導體層及硬罩幕層。圖案化硬罩幕層及導體層，

而形成暴露出介電層的第一溝槽。於基底上形成第一襯層。移除第一溝槽所暴露

的第一襯層及介電層，以暴露基底。於導體層及硬罩幕層的側壁形成間隙壁。以

具有間隙壁的導體層及硬罩幕層為罩幕，移除部分基底，以形成第二溝槽。之後

於第二溝槽中形成一隔離層，其中導體層之間的間距大於第二溝槽的寬度。

<摘錄公開資訊觀測站>