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公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3048395專

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3048395專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體的製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/08/243.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 62,4454.其他應敘明事項:本發明提供一種快閃記憶體的製作方法，特別採用等向性蝕刻的方式移除介電層，製作方法包含首先提供一鰭狀結構，鰭狀結構包含一浮置閘極材料層、一氧化層和一半導體層，一絕緣層設置於鰭狀結構之兩側，然後形成一介電層順應地覆蓋浮置閘極材料層以及絕緣層，之後形成一圖案化第一遮罩層、一圖案化第二遮罩層、一控制閘極由上至下依序堆疊於介電層上，並且控制閘極橫跨至少一個鰭狀結構，接著進行至少一次的一第一等向性蝕刻步驟，以浮置閘極材料層和?緣層作為蝕刻停止層，等向性移除曝露的介電層，直至介電層被完全移除。<摘錄公開資訊觀測站>

2018/9/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2987264專】
2018/9/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3046492專】
2018/9/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2991412專】
2018/9/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3048395專】
2018/9/28【公告本公司取得日本專利局核發JP 6360610專利】
2018/9/28【公告本公司取得日本專利局核發JP 6389937專利】
2018/9/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I633408專利】
2018/9/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I633660專利】
2018/9/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I633553專利】
2018/9/5【力晶調結構 拚後年重新上市】
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2018/9/5【SEMICON Taiwan登場 五大新應用創商機】
2018/9/4【代子公司「鉅晶電子股份有限公司」公告更名為「力晶積成電子製造】
2018/9/4【本公司107年度第九屆第四次董事會重要決議事項】

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