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DRAM廠資本支出大戰 開打

  繼三星、SK海力士之後,台灣南亞科、華邦電和力晶等三家記憶體相關業者,都悄悄啟動增加資本支出計畫。隨著業者「資本支出大戰」再度開打,是否會打破維繫已久的產業平衡默契,導致價格反轉,備受關注。
  其中,主攻記憶體晶片設計與製造的南亞科、華邦電今年資本支出都近200億元,南亞科更上調逾七成至197.1億元,華邦電則為歷史新高的182億元,年增逾二成。
  力晶雖已宣布轉型晶圓代工,但仍有不少業務來自為晶豪科、愛普等記憶體設計業者代工晶片,力晶日前宣布將啟動近3,000億元的12吋新廠建設計畫,對產業影響同受矚目。
  隨著各種電子終端產品對記憶體需求量增加,各大記憶體廠和市調機構普遍認為,今年DRAM業仍是大豐收的一年。
  看好記憶體需求強勁,各大廠趁勢透過提高資本支出等方式,擴大產出,希望能搶到更多商機,也為未來市場供需失衡狀況埋下隱憂。
  南亞科加碼投資20奈米製程,今年資本支出由原訂的115億元上調至197.1億元,增幅逾71%,規劃在明年第2季底前,將20奈米製程月產出提升至4.7萬片,也讓南亞科DRAM月產能增至7.3萬片。
  這是南亞科在轉型專注利基型記憶體市場後,重新擴大標準型記憶體,甚至重返伺服器DRAM的一項重要投資行動。
  南亞科強調,增加的產出占全球供應數量有限,影響也有限。
  華邦電與力晶也都宣布增加資本支出,力晶並將啟動12吋新廠,雖然相關計畫要到2020年才會完工並陸續投資,但也隱約透露DRAM廠已有意增產,未來是否會讓一直處於上漲的DRAM市況,進入反轉下跌,已成為全球投資人關注的焦點。<摘錄經濟>

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