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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571973專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 44,4004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體的製造方法，包括：在基底上依序形成介電層、第一導體層以及蝕刻終止層。圖案化蝕刻終止層，以形成開口。於基底上形成填滿開口的第　二導體層。於第二導體層上形成頂蓋層，並圖案化頂蓋層、第二導體層以及蝕刻終止層，以形成堆疊結構並暴露出第一導體層。於堆疊結構的側壁形成間隙壁，並於堆疊結構一側的第一導體層上形成圖案化的罩幕層。移除間隙壁後，以圖案化的頂蓋層與圖案化的罩幕層為罩幕，移除部分第一導體層而形成選擇閘極與浮置閘極。間隙壁可用來定義選擇閘極與浮置閘極的間距。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571908專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572073專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571710專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571973專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572016專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571968專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571974專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572074專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571701專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572014專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572135專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571970專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572023專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572024專利】

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