未上市  

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3048395專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

快閃記憶體的製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/08/24

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 62,445

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種快閃記憶體的製作方法，特別採用等向性蝕刻的方式移除介電層，

製作方法包含首先提供一鰭狀結構，鰭狀結構包含一浮置閘極材料層、一氧化層和

一半導體層，一絕緣層設置於鰭狀結構之兩側，然後形成一介電層順應地覆蓋浮置

閘極材料層以及絕緣層，之後形成一圖案化第一遮罩層、一圖案化第二遮罩層、一

控制閘極由上至下依序堆疊於介電層上，並且控制閘極橫跨至少一個鰭狀結構，接

著進行至少一次的一第一等向性蝕刻步驟，以浮置閘極材料層和?緣層作為蝕刻停

止層，等向性移除曝露的介電層，直至介電層被完全移除。

<摘錄公開資訊觀測站>