1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
靜態隨機存取記憶體裝置、其冗餘電路及半導體裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/06/29
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 179,174
4.其他應敘明事項:
一種用於SRAM裝置的冗餘電路,SRAM裝置包括多個輸入輸出記憶體單元。冗餘電路
包括:多個一對第1電晶體及第2電晶體,各連接於電源電壓與各輸入輸出記憶體單
元的電源端子之間,第1電晶體及第2電晶體彼此並聯地連接,第1電晶體具有較第2
電晶體大的互導;以及冗餘控制電路,於將第1電晶體關斷且使第2電晶體導通時對
各輸入輸出記憶體單元的電源端子的電壓進行檢測,當電源端子的電壓自規定的基
準電壓降低了規定值以上時,將輸入輸出記憶體單元判定為不良狀態,且將不良狀
態的輸入輸出記憶體單元冗餘置換為正常的輸入輸出記憶體單元。
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