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美光:記憶體今年底前都缺貨

　記憶體大廠美光科技（Micron）昨（27）日召開2017年會計年度第 4季（2017年6月至8月）法說會，非一般公認會計準財（Non-GAAP）每股稀釋盈餘2.02美元，優於市場預期，美光在台灣時間27日晚上開盤後，截至11點為止大漲了7.9％。
　　美光執行長Sanjay Mehrotra在法說會中亦明白表示，今年底前DR AM及NAND Flash都將呈現供不應求的缺貨狀態。
　　受惠於DRAM及NAND Flash價量齊揚，美光2017年會計年度第4季的 Non-GAAP財報大幅超標，營收季增10％達61.38億美元，較去年同期大增約91％，平均毛利率衝上51％，稅後淨利季增26％達23.86億美元，與去年同期虧損情況相較不僅由虧轉盈，獲利還大幅超越市場預期，單季每股稀釋盈餘2.02美元。
　　美光對於2018年會計年度第1季（2017年9月至11月）的展望同樣明顯優於市場預期。營收預估介於61～65億美元之間，優於市場普遍預估的60.6億美元，平均毛利率介於50～54％，營業利益預估介於26. 5～28.5億美元之間，每股稀釋盈餘預估介於2.09～2.23美元之間，優於市場普遍預估的1.85美元。
　　美光執行長Sanjay Mehrotra在法說會中表示，美光1x奈米DRAM、 64層3D NAND的生產計畫順利進行，預估今年底前良率可達成熟穩定階段。由產業來看，今年DRAM市場位元成長率僅20％，NAND Flash位元成長率僅30～40％之間，均低於市場需求成長幅度，所以預期至今年底前，DRAM及NAND Flash都將供不應求，而且良性的產業基本面會延續到明年。
　　Sanjay Mehrotra也對2018年記憶體市場提出看法，其中DRAM產業位元成長率仍然只在20％左右，在雲端運算等需求維持強勁情況下，將維持健康的供需平衡狀態。至於NAND Flash在各家業者的3D NAND 產能陸續開出下，位元成長率將提升到50％左右，可望滿足目前的市場供給缺口。
　　市調DRAMeXchange昨日表示，2017年NAND Flash產業需求受到智慧型手機搭載容量與伺服器需求的帶動，加上供給面受到製程轉進進度不如預期的影響下，供不應求的狀況自2016年第3季起已持續6個季度。2018年NAND Flash位元供給端將增加42.9％，需求端將成長37.7％，整體供需狀況將由2017年的供不應求轉為供需平衡。 <摘錄工商>

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