未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

垂直通道電晶體陣列及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/08/15

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$454,865

4.其他應敘明事項:

一種垂直通道電晶體陣列，包括多條埋入式位元線、多條位元線接觸窗、多個埋入式

字元線與漏電流隔離結構。多個半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。多條埋入式

位元線平行設置於半導體基底中，在行方向延伸。多條位元線接觸窗分別設置於埋入

式位元線的一側。多個埋入式字元線，平行設置於埋入式位元線上方，在列方向延伸，

且隔著閘介電層而連接同一列之半導體柱。漏電流隔離結構設置於埋入式位元線末端

部分，以避免相鄰位元線接觸窗之間產生漏電流。

<摘錄公開資訊觀測站>