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20奈米DRAM競局　台廠僅瑞晶砸錢參賽

20奈米世代DRAM競賽再度鳴槍起跑，設備商艾司摩爾(ASML)近期要求各大 DRAM廠針對深紫外光(EUV)機台先付訂金，以免重蹈2010年台廠轉入50和40奈米時因浸潤式曝光(Immersion Scanner)機台缺貨而卡住覆轍，目前三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛宣布下訂金參賽，但台廠只有瑞晶決定忍痛砸下1億美元先訂1台，南亞科和華亞科暫不考慮。
DRAM產業競爭力不僅比技術、成本及產品廣度，更要比口袋深度，DRAM廠除償債外，還要不斷買新機台設備，來驅動製程技術演進，過去1台機台售價新台幣10億~15億元，但進入20和10奈米製程世代後，EUV機台價格高達1億美元(約新台幣30億元)。
韓系記憶體廠三星和海力士已宣布下訂購買EUV機台，下世代競賽絕不缺席，除DRAM技術要轉進20奈米製程，需要用到EUV機台，NAND Flash製程技術很快就會走入10奈米世代，EUV機台對三星和海力士，絕對是保持領先優勢必備品。
反觀台DRAM廠目前表態購買EUV機台僅有瑞晶，連籌資能力最強的南亞科和華亞科，都表態不急著買，合作夥伴美光(Micron)曾向ASML下訂，但後來又取消訂單，態度轉趨觀望。力晶2011年將力拼以浸潤式曝光技術轉進45奈米，茂德則是財務能力有限，對於EUV機台敬謝不敏。
DRAM廠透露，ASML是希望DRAM廠現在就可以下訂金買EUV機台，以免在20奈米製程世代來臨時，重蹈2010年各廠轉進50或40奈米製程卡在設備機台缺貨窘境，儘管台系DRAM廠無法先卡住關鍵的EUV機台，但其他半導體大廠對於製程演進競賽絲毫不鬆懈，包括台積電、東芝(Toshiba)、全球晶圓(Global Foundries)等，都宣布支持EUV技術。
瑞晶成為台灣目前唯一下訂金買EUV機台的DRAM廠，更深層意義應是未來爾必達(Elpida)陣營研發重心，將逐漸轉到瑞晶身上，以目前爾必達陣營研發導入順序，新技術仍是以爾必達廣島廠為優先，再者依序是瑞晶、力晶、茂德，未來爾必達不排除將最新製程移到台灣作先鋒。
另外，瑞晶下訂金買下EUV機台，但預計機台設備真正到位時間點在2012年，在機台到位前，買設備的錢就要先付清，瑞晶2010年底前12吋晶圓廠會全數轉進45奈米，2011年轉進35／38奈米製程，2012年EUV機台到位後，可順勢轉進20奈米製程。<摘錄電子>

2010/12/14【瑞晶明年製程挑戰30奈米】
2010/12/14【瑞晶明年資本支出縮水至40億元】
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