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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I496152專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置及其寫入方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/08/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$75,3004.其他應敘明事項:一種非揮發性半導體記憶裝置，包括：一非揮發性的記憶單元陣列；以及一控制電路，用以控制該記憶單元陣列的寫入。在抹除已寫入記憶單元之資料的抹除處理之前或之後，上述控制電路檢測寫入至上述記憶單元陣列時的寫入速度，決定每區塊或每字元線之對應該寫入速度的寫入開始電壓，儲存上述所決定的寫入開始電壓於上述記憶單元陣列，以及從上述記憶單元陣列讀出寫入開始電壓以寫入預定資料。<摘錄公開資訊觀測站>

2015/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9076529專利】
2015/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9064580專利】
2015/9/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 5784788專利】
2015/9/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I496152專利】
2015/9/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I496153專利】
2015/9/23【怕被買走　黃崇仁：力晶重新上市要更小心】
2015/9/22【力晶跨足電商攻時尚精品】
2015/9/22【黃崇仁愛精品跨足電商玩時尚】
2015/9/8【DRAM老將陳正坤投效聯電】
2015/9/8【他，一身好本事沒喝過洋墨水】
2015/8/25【力晶攜奕力拿京東方訂單】
2015/7/13【寫償債奇蹟感謝張忠謀】
2015/7/13【力晶合肥廠搶中國製商機】
2015/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 8999809專利】

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