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全球DRAM產值連5季創新高

　　根據集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查，去年第4 季全球DRAM產出雖受到SK海力士無錫廠大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此去年第4季全球DRAM產值再度攀高至約97.48億美元，季增4.8％並連續5季創下新高。
　　集邦科技研究協理吳雅婷表示，就去年第4季合約價格走勢觀察，由於9月SK海力士受祝融波及而影響當下出貨，4GB DDR3模組合約均價最高來到34美元價位，較火災發生前上漲約2成，供貨不足下主要 PC OEM廠紛紛轉向三星及美光要求緊急供貨，亦是這波價格上漲受惠最多的廠商。
　　由前3大廠的市占率變化來看，三星維持原先策略，標準型DRAM比重進一步提升，並意圖持續擴大Mobile DRAM對外採購比重。由於三星的25奈米已經順利量產出貨，相較於SK海力士的29奈米、美光的3 0奈米，顯然成本結構領先同業水準，在2014年平均銷售單價可能緩跌的前提下，三星的營業利益仍舊可以維持20％水位，無疑為產業獲利最高的廠商，市占率亦高達39.1％。
　　美光合併爾必達後，市占率衝高至28.7％，正式超越SK海力士成為第2大廠。美光2014年目標為逐漸導入爾必達技術為主的20奈米，預計正式量產時程約落在第4季，若站在標準型DRAM的角度觀察，美光的產出比率將占總產業的三分之一強，對該市場影響力將大增。
　　SK海力士受無錫廠大火影響，市占率已降至23.8％，但該公司傾全力恢復產出，預計產能流失的衝擊可望在今年首季全面回復。
　　在台灣業者部份，南科、華邦電、力晶等均積極進行製程微縮以維持競爭力，南科今年將全數轉進30奈米製程，投片量已達總產能8成；力晶雖已轉型為代工廠，但今年也將開始轉進20奈米；華邦電除提升月投片量至3.8萬片，46奈米製程轉進比重亦是今年的重點，生產成本降低將有助今年獲利表現。
　　集邦指出，SK海力士無錫廠的復工狀況將直接牽動未來價格走勢，由於每年首季將是需求淡季，加上3大廠產出均增加，價格將呈現緩跌態勢，而跌幅將隨著旺季來臨而趨緩。由於DRAM廠已不再盲目擴產，預估2014年的DRAM總產值可望進一步提升，並在後20奈米時代來臨之前為各DRAM廠帶來穩定的獲利。<擷錄工商>

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