半導體前驅體是半導體薄膜沉積工藝的核心製造材料,高壁壘高增長,應用於半導體生產製造工藝,攜有目標元素,呈氣態或易揮發液態,具備化學熱穩定性,同時具備相應的反應活性或物理性能的一類物質。
在包括薄膜、光刻、互連、摻雜技術等的半導體製造過程中,前驅體主要應用於氣相沉積(包括物理沉積PVD、化學氣相沉積CVD及原子氣相沉積ALD),以形成符合半導體製造要求的各類薄膜層。此外,前驅體也可用於半導體外延生長、蝕刻、離子注入摻雜以及清洗等,是半導體製造的核心材料之一。半導體前驅體可分為:TEOS(正矽酸乙酯)、硼磷(B、P)摻雜劑、金屬前驅體、高k前驅體、低k前驅體等。TEOS和硼磷摻雜劑主要用於生成ILD(InterLayerDielectric,層間電解質)、IMD(InterMetalDielectric,金屬間電解質),其中TEOS主要用於矽酮聚合物的交聯劑及二氧化矽薄膜前驅體。高k前驅體用於生成電容及柵極。隨下游晶片產業發展,前驅體總體市場規模將保持快速增長。根據數據,全球前驅體銷售規模在2014年約7.5億美元,同比增長28.81%,2021年預達到約17.0億美元,隨著EUV製程的導入,銷售額可望出現高速成長。