未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

記憶體線路結構以及其半導體線路製程

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/02/06

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 97,498

4.其他應敘明事項:

本發明提出了一種用以形成特定圖形特徵的半導體製程，其步驟包含：在基底上

形成一目標層以及等間隔排列的內核體、共形地形成一硬遮罩層、在硬遮罩層上

形成第一光阻，其中該第一光阻涵蓋一預定區域，該預定區域包含兩個以上的該

些內核體、進行一第一蝕刻製程去除該預定區域以外部分的硬遮罩層，以裸露出

部分內核體、去除該些裸露的內核體、在該預定區域內形成一第二光阻，其至少

涵蓋該預定區域中所有的凹槽、以及進行一第二蝕刻製程圖形化該目標層。

<摘錄公開資訊觀測站>