未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體記憶裝置及其位址控制方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/12/11

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 66,000

4.其他應敘明事項:

半導體記憶裝置基於所輸入的並行位址來選擇性地切換至少兩個儲存單元並寫入

或讀取資料， 其包括控制單元， 所述控制單元以如下方式進行控制：於第一次

資料存取中， 基於所述輸入的並行位址對所述半導體記憶裝置進行存取後，於第　

二次以後的資料存取中，基於與所述並行位址不同的串行位址對所述半導體記憶

裝置進行存取。而且，所述半導體記憶裝置是將記憶胞分別連接於多條字元線與

多條位元線的交叉點而構成，所述串行位址包含：選擇所述多條字元線中的1 條

字元線的第1 串行位址，以及選擇所述多條位元線中的1 條位元線的第2 串行位

址。

<摘錄公開資訊觀測站>