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記憶體廠搶HBM 美光跳階

  生成式人工智慧(AIGC)熱潮帶動HBM(高頻寬記憶體)需求,三 大記憶體原廠趕進度,韓廠SK海力士(SK Hynix)、三星(Samsung )先從HBM3開發,代表產品為NVIDIA H100/H800及AMD MI300系列, 預定2024年第一季送樣HBM3e。美系廠美光(Micron)選擇跳過HBM3 ,直接開發HBM3e。三大記憶體廠規劃2024年首季送樣,2024年第二 季面市。
  根據TrendForce報告指出,記憶體原廠在面臨輝達(NVIDIA)以及 其他雲端服務業者(CSP)自研晶片的加單下,加大TSV(矽穿孔)封 裝產線來擴增HBM產能。
  從目前各原廠規劃來看,預估2024年HBM供給位元量將年增105%, 不過,考量TSV擴產加上機台交期與測試所需的時間合計可能長達9∼ 12個月,TrendForce預估,多數HBM產能要等到2024年第二季才可望 陸續開出。
  由於今明年屬AI建置爆發期,故大量需求挹注在AI Training晶片 ,並推升HBM使用量,後續建置轉為Inference以後,對AI Training 晶片及HBM需求的年成長率則將略為收斂。
  因此,原廠此刻在HBM擴產的評估正面臨抉擇,必須在擴大市占率 以滿足客戶需求,及過度擴產恐導致供過於求間取得平衡。
  值得注意的是,目前買方在預期HBM可能缺貨的情況下,其需求數 量恐隱含超額下單(Overbooking)的風險。
  觀察HBM供需變化,2022年供給無虞,2023年受到AI需求突爆式增 長導致客戶的預先加單,即便原廠擴大產能但仍無法完全滿足客戶需 求。
  展望2024年,TrendForce認為,基於各原廠積極擴產的策略下,H BM供需比(Sufficiency Ratio)有望獲改善,預估將從2023年的- 2.4%,轉為0.6%。
  以HBM不同世代需求比重而言,TrendForce表示,2023年主流需求 自HBM2e轉往HBM3,需求比重分別預估約是50%及39%。
  隨著使用HBM3的加速晶片陸續放量,2024年市場需求將大幅轉往H BM3,而2024年將直接超越HBM2e,比重預估達60%,且受惠於其更高 的平均銷售單價(ASP),將帶動2024年HBM營收顯著成長。   <摘錄工商>

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