未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體結構與其半導體製程

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$59,400

4.其他應敘明事項:

本發明提出了一種半導體製程，其步驟包含在一基底上形成一圖形化導電層、形

成一未摻雜介電層，其頂面與圖形化導電層的頂面齊平、在圖形化導電層以及未

摻雜介電層上形成一受摻雜介電層、進行一蝕刻製程，該蝕刻製程對未摻雜介電

層以及受摻雜介電層具有高度的蝕刻選擇比，使得該蝕刻製程中僅裸露出之受摻

雜介電層會被完全蝕去，未摻雜介電層則不會受到蝕刻。

<摘錄公開資訊觀測站>