未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

垂直式無電容DRAM 記憶胞、DRAM 陣列及其操作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/01/11

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$58,800

4.其他應敘明事項:

一種垂直式無電容DRAM 記憶胞，包括：第一導電型的源極層、設置於源極層上

的第二導電型的儲存層、設置於儲存層上的第一導電型的主動層、設置於主動層

上的第二導電型的汲極層、設置於主動層旁且以第一閘介電層與主動層相隔的位

址閘，以及設置於儲存層旁且以第二閘介電層與儲存層相隔的儲存閘。要寫入此

記憶胞時，可開啟由儲存層、主動層、汲極層、第一閘介電層及位址閘所形成之

MOSFET，將載子自汲極層經主動層注入儲存層。

<摘錄公開資訊觀測站>