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瑞晶成功試產30奈米DDR3

瑞晶（4932）昨日宣布，已成功試產出使用爾必達所開發30nm製程的2Gb DDR3晶片，良率符合預期，未來將加速進行製程轉換，預計於2011年下半年全面導入量產，並同時生產4Gb DDR3 DRAM。瑞晶表示，此次試產成功之2Gb DDR3 DRAM產品，是使用爾必達所開發，低耗電、高效能全新30nm製程技術，每片晶圓產出晶粒量比40nm製程多出45％，可有效降低生產成本。瑞晶總經理陳正坤指出，此次試產結果，不論品質、良率均相當令人滿意，希望能在2011年下半年，將月產能8.5萬片的全產線，百分之百轉換完成。此外，也將生產4Gb DDR3DRAM，以滿足高階產品的需求。<摘錄工商>

2011/4/19【說明蘋果日報報導】
2011/4/19【瑞晶 30奈米晶片試產】
2011/4/19【DRAM廠多元化產品線】
2011/4/19【瑞晶成功試產30奈米DDR3 】
2011/4/14【本公司董事會決議新增一百年股東常會召集事由】
2011/4/14【本公司董事會重要決議事項】
2011/4/13【公告本公司獨立董事辭任】
2011/4/14【許嘉棟辭瑞晶獨董】
2011/3/31【爾必達傳找瑞晶調矽晶圓】
2011/3/30【公告本公司股務代理業務自100年5月2日起，改由群益證券股份有限】
2011/3/11【力成拉攏爾必達投資EBS 14億】
2011/3/10【瑞晶營收月增逾5成笑傲同業】
2011/3/4【本公司董事會決議不發放股利補充說明】
2011/3/3【本公司董事會決議不發放股利】

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