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台DRAM廠4Q面臨全虧危機

南亞科和華亞科20日將打頭陣召開法說，然力晶卻搶先公布第3季財報，稅後獲利 19.36億元，若加計瑞晶獲利，第3季獲利可望逼近30億元；南亞科和華亞科則因為50奈米製程轉換，產出不如預期，加上DDR3價格慢性崩盤，使得2 家公司第3季虧損分別逾20億和30億元。展望第4季，若1Gb晶片價格跌到1美元，2Gb晶片跌破2美元，這3家台DRAM廠恐將全數虧損。
力晶自結第3季(不含轉投資瑞晶)營收250.24億元，毛利率17.35%，營業淨利率12.89%，稅前獲利22.91億元、稅後獲利19.36億元，換算每股稅後0.34元；累計前3季稅後約122.39億元，每股獲利2.22元。力晶轉投資瑞晶第3季由於從65奈米轉換至63奈米製程速度快，7 月全數產出都已是63奈米製程產品，成本大幅下降20%，若加計瑞晶獲利挹注，力晶第3季獲利上看30億元。
放大台系DRAM廠第3季財報幾家歡喜、幾家愁。劉家任攝
相較之下，南亞科和華亞科第3季財報則是持續虧損，虧損金額分別以20億和30億元起跳。南亞科和華亞科第3季財報不如預期，主要是受到50奈米製程轉換影響。華亞科7、8月期間因為全數停止溝槽式製程，產出大幅減少，導致成本大幅提升，加上DDR3價格逐月慢性崩盤走勢，使得南亞科和華亞科第3季虧損都將較第2季擴大。
值得注意的是，由於1Gb容量DDR3晶片報價已跌破2美元，10月上旬2GB容量DDR3模組報價又再重挫6~9%，這種慢性崩盤趨勢將一路持續至 2010年底，預期年底1Gb容量DDR3晶片恐往1美元靠攏，2Gb晶片價格則約2美元，屆時全球能獲利的DRAM廠除三星電子(Samsung Electronics)外，恐怕是寥寥可數。
華亞科第4季底12吋晶圓廠13萬片產能將傾巢而出，可望大幅降低成本，雖然有利轉虧為盈，但以其成本結構來看，若年底2Gb晶片價格力撐在2美元以上，第4季營運轉盈才有機會，但若2Gb晶片價格跌破2美元，南亞科和華亞科第4季恐將持續面臨虧損壓力。
力晶第4季主要壓力還是來自於現貨價跌勢，若力晶全數轉進63奈米製程，成本頂多撐在1.4美元附近，一旦1Gb價格往1美元靠攏，力晶亦將承受由盈轉虧壓力；至於瑞晶狀況會好些，由於積極轉進45奈米，2Gb晶片成本不到1.5美元，屆時力晶可望獲得瑞晶獲利挹注。<摘錄電子>

2010/10/25【DRAM廠3Q成績僅瑞晶逆勢突圍　4Q報價仍續跌】
2010/10/21【力晶明年資本支出160億】
2010/10/19【力晶前3季賺122億元笑傲DRAM廠】
2010/10/19【台DRAM廠4Q面臨全虧危機】
2010/10/19【力晶2010年3Q財報】
2010/10/19【力晶前三季EPS 2.22元】
2010/10/12【瑞晶應材9吋矽晶片綠能產值躍進關鍵】
2010/10/11【 10月high咖致伸、高鐵、達虹旺】
2010/10/6【爾必達下修年度財測】
2011/1/21【瑞晶：不影響導入先進製程】
2010/10/6【價格暴跌 DRAM廠業績蒙塵】
2010/10/4【瑞晶與爾必達關連】
2010/9/30【爾必達30奈米DRAM 技轉瑞晶】
2010/9/16【瑞晶多晶矽片效能躍進】

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